【产品】萨瑞微4线低电容TVS二极管阵列SEL0514S5，具有nA级超低漏电流，工作电压低至5V

时间： 2022-10-13 来源：萨瑞微电子

技术问答

萨瑞微电子推出一款4线低电容TVS二极管阵列SEL0514S5，采用先进的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性，使该器件成为保护电压敏感高速数据传输线的理想解决方案。器件具有典型值低至12.5pF的低电容特性，符合IEC61000-4-2（ESD）标准，可提供±15kV空气放电和±8kV接触放电的ESD防护等级；器件采用5Pin脚无铅SOT-553外壳封装，其小尺寸封装、低电容特性和高ESD浪涌保护能力，使其成为保护诸如手机、笔记本电脑、台式机和其他便携式应用的理想选择方案。

T_A=25℃、RH=45%-75%时，器件峰值脉冲功率为24W（tp=8/20μs，波形）；峰值脉冲电流为2A（tp=8/20μs，波形）；在V_R=0V，f=1MHz条件下，I/O脚到I/O脚（指Pin1，3，4，5）其结电容典型值低至12.5pF；反向漏电流最大值低至0.1µA（V_RWM=5.0V），器件工作温度范围为-55℃至125℃，存储温度范围宽至-55℃至150℃，器件引脚配置如下图所示：

产品特点

超低电特性：典型值12.5pF(I/O 到 I/O)
超低漏电流特性：nA级
低工作电压：5V
低钳位电压
支持保护多达4条传输线
采用JEDEC SOT-553外壳封装
符合以下标准：

-IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度试验：

空气放电：±15kV

接触放电：±8kV

-IEC61000-4-4 (EFT) 40A（5/50ns）

符合RoHS标准

机械特性

器件封装：SOT-553
外壳材料：绿色环保塑封
可燃性分类等级：UL94V-0
湿度敏感度：3级（J-STD-020标准）

产品应用

手机和配件
个人数字助理（PDA）
笔记本电脑和手持设备
便携式仪器
数码相机
外围设备
音频播放器
键盘、侧键、LCD显示器

最大额定参数（T_A=25℃，RH= 45%-75%，除非另有说明）

电气特性（除非另有说明，T_A=25℃）

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萨瑞微电子（SALLTECH）ESD保护器件选型表

描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。

型号- SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2,SEN0512S4,SEU0501P0,SEL1211S2,SEU0501P1,SES0521P1,SEN0512S9,SEN0731D5,SEN0802S2,SEN3612S2,SEU0512P1S,SES0701P1,SEN2411P1,SEN2411P0,SES4521D3,SEH0532P1,SEP3011P6,SEU3301P1,SEU3301P0,SEL0532S2,SEN3301D5,SEN0551D5,SEN3611P1,SEN3301D3,SEH0511D5,SEL3314P8,SES0501D3,SEN3312S2,SES0501D5,SEU1511D5,SEP1011P6,SEN1231D5,SEN3601D3,SEN2401P0,SES2011P1,SEP4511P6,SES4511D3,SEP0501P6,SES2011P4,SEU3324PC,SEH0801D3,SEU3311P1,SES3301D5,SEN0701P1,SEN0701P0,SES3031P4,SEN2401P1,SEN2414S2,SES2631P4,SES1011D3,SEN0502S2,SEN2402S2,SEN1551P1,SES0511P1,SEH2401P6,SES0511P4,SEU2401P0,SEU2401P1,SEN0812S2,SEN1212S2,SES0521D3,SM3612S2,SEL0502P1,SEU0501D5,SES1511P4,SES1511P6,SEP0711P6,SEH1201D3,SEN0501P0,SEL3301P1,SEN1211P6,SEN1211P1,SEN1811D5,SEU1501D5,SEP4831PD,SEU1512SD,SEN4501D5,SEN3611D5,SEN3302S2,SEP4551P1,SEN3611D3,SEU0511P1,SES0531P1,SEH0511P0,SEN1531P1,SEN2001D1,SEH1501P6,SEL0514S5,SEN0711P6,SEL0514S2,SEL0501P0,SEL0501P1,SEH3301D3,SEN0811D3,SEL0541D5,SEN3301D5-1,SEN3301P0,SEN0811D5,SEH0512S4,SEN2412S2,SEH0801P6,SEN0515S3,SEN0502P1,SEH0512S2,SEU1511P1,SEU0521P0,SEU0518PB,SEH0501D3,SEN2401D3,SEN0531D5,SEP2011P6,SES0511D3,SEN1202S2,SEH0512S9,SEU1211D5,SEP4501P4,SEP4501P6,SEU3324PCS,SEN0701D5,SES1011P4,SEN2401D5,SPH0603H30,SEH0504S6,SEN1211D3,SES1511D3,SEU1201D5,SEN2432S2,SEU0521P1S,SEN1211D5,SEN2011D1,SEN4501P1,SES0711D3,SEP2411P6,SES0531D3,SEN1512S2,SEL0502S4,SES3011P4,SEU0501P1-C,SEP1211P6,SEH3301P6,SEN1811P1,SEN1501D5,SEN1501D3,SEH0503S1,SEU1501P1,SEN1811P6,SEN2411D3,SEN1221P1,SEN2411D5,SEU0504PC,SEN2701D3,SES2431P4,SEN1511D3,SES1211D3,SEH1501D3,SEL0501D3,SM712,SEU2411D3,SEU2411D5,SEH0514S3,SEN0532S4,SEN0532S9,SEN1801P1,SEL0501D5,SEH0501P1,SES0541P1,SEH0501P0,SEN1511D5,SEN0711D5,SEN1801P6,SEL3321P1,SEN0711D3,SEU1211P1,SEU1211P0,SES1811P4,SES4501P4,SEU3304PC,SEL0524S2,SEN1521P1,SES4501P1,SEH0501P6,SEL3301D3,SEN2431P1,SEN1201D5,SEN1802S2,SEN1201D3,SEU3312P1S,SES0711P4,SEU1201P1,SEU1201P0,SES0711P1,SEN2431D3,SEN1502S2,SEH1521D3,SEH3321D3,SES3311P1,SEL2501P1,SEP2411D1,SES3311P4,SES2411D5,SEL4501P6,SES2411D1,SEU3301P0-C,SEU3304PCS,SES2411D3,SEH2422S2,SEL0501P1-1,SEN0511D3,SEN0511D5,SEN1501P1,SES3011D3,SEL0201P0,SEN3301DBH,SEN0522S4,SEN1221D5,SEN0522S9,SEL2011P6,SEL0521P1,SEL0511S2,SEN1511P6,SES4511P4G,SES4511P4,SEN1511P1,SEH2401D3,SEH3301D3-1,SEU0501P0-C,SEN2501P1S,SEN0521P1,SES0501P0,SES0501P1,SEN3311D5,SEN1511PM,SEN3601P1,SEU2411P0,SES1211P4,SEU2411P1,SEN3311D3,SEN1831D3,SEN1231P1,SPH0603H24,SEL0541D5-1,SEP3311P6,SEH1201P6,SEH0516S8,SEP4531P1,SEU2401D3,SEH1201P1,SEU2401D5,SES3301P1,SES4501D3,SEP0511P6,SES4501D5,SEN3602S2

选型指南 - 萨瑞微电子 - 2023/8/14 PDF 中文下载

萨瑞微电子ESD保护器件选型表

萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode)，先进的单片硅技术，保护电压敏感的数据和电源线；符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准（±30kV空气和±30kV接触）放电电压；符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准；超小尺寸DFN封装；主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。

产品型号

品类

极性

Max Reverse Working Voltage VRWM(V)

Junction Capacitance Cj(pF)

Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)

Min Breakdown Voltage VBR(V)

Max Breakdown Voltage(V)

Max Leakage Current IR@VRWM(uA)

Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)

Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)

Max Peak Pulse Power PPP(W)