【产品】600V/15A功率 MOSFET，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs
集高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点于一身的P15FH60HP2是新电元公司推出的一款表面贴装（SMD）功率MOSFET器件。该功率MOSFET的漏源电压为600V，栅源电压为±30V，直流连续漏极电流为15A，峰值连续漏极电流为60A，直流连续源电流为15A，可满足一般电源系统的设计要求，适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。
P15FH60HP2具有较高的开关速度，其开启延迟、上升时间、关断延迟和下降时间典型值分别为37ns、49ns、129ns和35ns。此外，P15FH60HP2还具有低电容特性，在漏源电压为50V、栅源电压为0V、频率为1MHz的测试条件下，其输入电容典型值为1750pF，反向传输电容典型值为7pF，输出电容典型值为150pF。
P15FH60HP2的全功率损耗为175W，在温度为Tch=25℃的测试条件下，重复脉冲雪崩电流为15A，单脉冲雪崩能量为65mJ，重复脉冲雪崩能量为6.5mJ，极大的扩展了晶体管的应用范围。P15FH60HP2还具有承受较高瞬间电流的能力，在连续源电流为15A，温度Tc=25℃的测试条件下，其漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs。功率MOSFET的沟道温度为150℃，储存温度为-55~150℃，采用FH（TO-263AB-1）封装, 尺寸大小为15.25mm×10.2mm×4.6mm。
图1 功率MOSFET P15FH60HP2实物图
功率MOSFET P15FH60HP2特点：
·漏源电压为600V，栅源电压为±30V；
·直流连续漏源极电流为15A，峰值连续漏极电流为60A；
·全功率损耗为175W；
·总闸极电荷典型值为37nC；
·采用FH（TO-263AB-1）封装, 尺寸大小为15.25mm×10.2mm×4.6mm；
·存储温度范围：-55~150℃。
技术顾问：零点
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