【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
P86F6SN是新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款采用10V栅极驱动的功率MOSFET器件，具有低静态导通电阻、低电容的特点。P86F6SN的储存温度为-55~150℃，沟道温度为150℃，漏源电压为60V，栅源电压为±20V，直流连续漏极电流为86A，峰值连续漏极电流为344A（脉冲宽度10μs），全功率损耗为58W。P86F6SN可有效的抑制雪崩效应，在温度为Tch=25℃的测试条件下，单脉冲雪崩电流为76A，单脉冲雪崩能量高达288mJ。
P86F6SN采用绝缘封装，其绝缘耐压强度为2kV，安装扭矩为0.5N·m。P86F6SN的静态导通电阻较低，在直流连续漏极电流为43A，栅源电压为10V的测试条件下，其静态导通电阻典型值为2.4mΩ，最大值为3.0mΩ。在漏源电压为48V，栅源电压为10V，直流连续漏极电流为86A的测试条件下，该功率MOSFET器件的总闸极电荷典型值为181nC，栅源电荷典型值为46nC，栅漏电荷典型值为68nC，能够满足一般大功率驱动应用需求。
P86F6SN具有较高的开关速度，可以满足一般高频开关电路设计需求，其开启延迟典型值为14ns、上升时间典型值为49ns、关断延迟典型值为112ns，下降时间典型值为70ns。P86F6SN采用FTO-220AG（SC-91）封装, 尺寸大小为28.5mm×10.0mm×4.5mm。
图1 功率MOSFET P86F6SN实物图
功率MOSFET P86F6SN特点：
·漏源电压为60V，栅源电压为±20V；
·直流连续漏极电流为86A，峰值连续漏极电流为344A；
·全功率损耗为58W；
·总闸极电荷典型值为181nC；
·FTO-220AG（SC-91）封装, 尺寸大小为28.5mm×10.0mm×4.5mm;
·存储温度范围：-55~150℃。
技术顾问：启明星
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 8
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
评论
全部评论（8）
-
![]()
![]()
Tiger Lv7. 资深专家 2018-08-24学习了 -
![]()
![]()
崇乾 Lv8. 研究员 2018-08-23这个模块性能不错 -
![]()
![]()
人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-12学习了 -
![]()
![]()
冷锋 Lv7. 资深专家 2018-08-07不错 -
![]()
![]()
yingqiming Lv7. 资深专家 2018-07-31不错 -
![]()
![]()
明日之星 Lv3. 高级工程师 2018-07-20非常不错 -
![]()
![]()
辛巴 Lv8. 研究员 2018-05-10学习了 -
![]()
![]()
TAO Lv7. 资深专家 2018-03-05学习了
相关推荐
【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET，集成高速二极管
P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET，其总栅极电荷10.5nC，高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【产品】高度仅1.1mm的10A高功率密度二极管满足汽车电子小型化设计
D10FY15ST采用TO-227A封装，有良好的高、低温特性，具有0.3mm厚的铅层，适用于汽车电子产品中。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
【经验】延长40V/130A六合一MOSFET模块使用使用寿命小技巧
Shindengen MG005G 40V/130A六合一MOSFET模块，不但可以解决模块散热的问题，还可以最大程度上减小PCB板面积。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F20W60C3数据手册
描述- 该资料介绍了F2W60C3型号的功率MOSFET器件，包括其特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- COOLMOS C3,F20W60C3,F20W60C3-7000
Shindengen（新电元） 功率MOSFETsF11F60C3M数据手册
描述- 该资料介绍了型号为F1F60C3M的600V 11A功率MOSFET器件。资料内容包括产品特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- F11F60C3M-7600,COOLMOS C3,F11F60C3M
【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F11F60CPM数据手册
描述- 该资料介绍了F1F60CPM型600V 11A功率MOSFET的特点和应用。它具有低烟阻、绝缘包装等特点，适用于各种电源电路。
型号- F11F60CPM,COOLMOS CP,F11F60CPM-7600
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F25FH60CP数据手册
描述- 该资料详细介绍了一种型号为F2 5FH60CP的600V 25A功率MOSFET。它具有高电压、快速开关和低导通电阻等特点，适用于各种电源转换和应用。
型号- COOLMOS CP,F25FH60CP-7071,F25FH60CP
【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F39W60CP数据手册
描述- 该资料介绍了F390CP型600V 39A MOSFET的特点和应用。主要包括其高压、高速开关特性，低导通电阻，适用于各种电源转换和电机控制应用。
型号- F39W60CP,COOLMOS CP,F39W60CP-7000
【产品】600V/15A功率 MOSFET，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs
新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2，全功率损耗为175W，单脉冲雪崩能量为65mJ，可满足一般电源系统的设计要求，适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
电子商城
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论