【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
P86F6SN是新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款采用10V栅极驱动的功率MOSFET器件，具有低静态导通电阻、低电容的特点。P86F6SN的储存温度为-55~150℃，沟道温度为150℃，漏源电压为60V，栅源电压为±20V，直流连续漏极电流为86A，峰值连续漏极电流为344A（脉冲宽度10μs），全功率损耗为58W。P86F6SN可有效的抑制雪崩效应，在温度为Tch=25℃的测试条件下，单脉冲雪崩电流为76A，单脉冲雪崩能量高达288mJ。
P86F6SN采用绝缘封装，其绝缘耐压强度为2kV，安装扭矩为0.5N·m。P86F6SN的静态导通电阻较低，在直流连续漏极电流为43A，栅源电压为10V的测试条件下，其静态导通电阻典型值为2.4mΩ，最大值为3.0mΩ。在漏源电压为48V，栅源电压为10V，直流连续漏极电流为86A的测试条件下，该功率MOSFET器件的总闸极电荷典型值为181nC，栅源电荷典型值为46nC，栅漏电荷典型值为68nC，能够满足一般大功率驱动应用需求。
P86F6SN具有较高的开关速度，可以满足一般高频开关电路设计需求，其开启延迟典型值为14ns、上升时间典型值为49ns、关断延迟典型值为112ns，下降时间典型值为70ns。P86F6SN采用FTO-220AG（SC-91）封装, 尺寸大小为28.5mm×10.0mm×4.5mm。
图1 功率MOSFET P86F6SN实物图
功率MOSFET P86F6SN特点：
·漏源电压为60V，栅源电压为±20V；
·直流连续漏极电流为86A，峰值连续漏极电流为344A；
·全功率损耗为58W；
·总闸极电荷典型值为181nC；
·FTO-220AG（SC-91）封装, 尺寸大小为28.5mm×10.0mm×4.5mm;
·存储温度范围：-55~150℃。
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