【产品】高di/dt耐久性的600V/7A功率 MOSFET
P7FH60HP2是新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款表面贴装（SMD）功率MOSFET，具有高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。P7FH60HP2功率MOSFET的沟道温度为150℃，储存温度为-55~150℃，漏源电压为600V，栅源电压为±30V，直流连续漏极电流为7A，峰值连续漏极电流为28A（脉冲宽度为10μs），直流连续源电流为7A。
P7FH60HP2的全功率损耗为128W，重复脉冲雪崩电流为7A，单脉冲雪崩能量为40mJ，重复脉冲雪崩能量为4mJ。此外，P7FH60HP2还具有承受较高瞬间电流的能力，在连续源电流为7A，温度Tc=25℃的测试条件下，其漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs。
P7FH60HP2在直流连续漏极电流为3.5A，栅源电压为10V的测试条件下，静态导通电阻典型值为0.88Ω，最大值为1.05Ω。P7FH60HP2具有低电容特性，在漏源电压为50V、栅源电压为0V、频率为1MHz的测试条件下，其输入电容典型值为810pF，反向传输电容典型值为5pF，输出电容典型值为75pF。P7FH60HP2采用FH（TO-263AB-1）封装, 尺寸大小为15.25mm×10.2mm×4.6mm。
图1 功率MOSFET P7FH60HP2实物图
功率MOSFET P7FH60HP2特点：
·漏源电压为600V，栅源电压为±30V；
·直流连续漏极电流为7A，峰值连续漏极电流为28A，直流连续源电流为7A；
·全功率损耗为128W；
·总闸极电荷典型值为19nC；
·采用FH（TO-263AB-1）封装, 尺寸大小为15.25mm×10.2mm×4.6mm；
·存储温度范围：-55~150℃。
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