【产品】具有小型SMD或DIP封装的800V/1A的桥式整流二极管
SHINDENGEN公司推出了具有两种封装方式的桥式整流二极管S1NB60和S1NB80，能够灵活应用于多种不同需求的工业设计方案，如应用于办公设备、通讯用终端设备、测量仪器、工作设备、工业用设备以及运输设备等领域。当设计要求组装密度高，而电子产品体积小的时候可以选择小型SMD封装（尺寸：6.8mm×6.5mm×2.6mm），即表面贴装，这种封装方式具有可靠性高，抗振能力强，抗振能力强和易于实现自动化等优点；而在需要在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，要求操作方便的情况下，则可以选择小型DIP封装（尺寸：6.8mm×6.5mm×2.5mm），即双列直插式封装。
这两款桥式整流二极管都具有较好的耐压性能，S1NB60型号可承受的最大反向电压VRM为600V，其最大瞬时值瞬态反向电压VRSM为700V；S1NB80型号可承受的最大反向电压VRM为800V。S1NB60和S1NB80工作时所允许流过的额定正向电流的平均值Io均为1A（测试条件为应用在玻璃环氧基板上，50 Hz正弦波，电阻负载，Ta=25℃）；在单周期50Hz正弦波以及温度为Tj=25℃的测试条件下，可承受高达30A浪涌电流冲击；在1ms≦t＜10ms，Tj=25℃的测试条件下，该二极管每个周期能承受的最大能量冲击，即周期电流平方时间积I2t为4.5 A2S。
S1NB60和S1NB80两款器件的正向导通电压最大仅为1.05V（在IF=0.5A，脉冲测试条件下），最大反向电流仅为10μA（在VR=VRM，脉冲测试条件下），单向导电性佳，有效地降低了工作过程中的功率损耗。此外，该款桥式整流二极管的存储温度范围为-40℃~150℃，工作结温可达150℃，极大地降低了散热设计的难度。
图1 本器件两种封装方式的外形图以及等效电路图
S1NB60和S1NB80桥式整流二极管的优势和特点：
•两种封装方式
•小型SMD封装，尺寸：6.8mm×6.5mm×2.6mm
•小型DIP封装，尺寸：6.8mm×6.5mm×2.5mm
•最大反向电压分别为600V和800V
•存储温度范围：-40℃~150℃
•工作结温：150℃
•最大正向平均整流电流1A
•峰值浪涌正向电流IFSM可达30A
•单周期内能承受的最大能量冲击可达4.5A2s
•正向电压最大为1.05V
•最大反向电流仅为10μA
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产品型号
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品类
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VRRM[V]
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IF(AV)[A]
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IFSM[A]
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Tj[℃]
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VF(max.)[V]
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IR(max.)[μA、mA]
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Package(House Name)
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Package(JEDEC Code)
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AEC-Q101
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Automotive
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M1F60
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普通整流二极管
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600
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1
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25
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-55 to 150
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1.1
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10μA
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M1F
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DO-219AA similar
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Automotive
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