【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量达245mJ
P70F5EN是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款50V，70A的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），可满足中型功率器件需求。其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量，这使得MOSFET在电路中自身损耗更低，能够为MOSFET提供好的保护，可以保障MOSFET在中型功率场合下的可靠性及稳定性。P70F5EN主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
图一：P70F5EN外部视图
P70F5EN拥有不错的导通性能，其导通延迟时间td（on)典型值为13ns，拥有高开关速度，能够满足高频开关电路的设计需求。其栅源电荷Qgs典型值仅为26nC，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为86nC，有着较好的开关性能。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。此外，器件的绝缘耐压值为2kV，单脉冲雪崩能量高达245mJ，可以提供较好的保护。
图二：P70F5EN典型输出特性及转移特性曲线
P70F5EN采用FTO-220AG三引脚绝缘封装，结壳热阻θjc最大值仅为2.35℃/W，总耗散功率最大值仅为53W，有效地提高了能源利用效率。（以上参数的具体条件详见主要特点）
图三：P70F5EN电容特性曲线
图四：P70F5EN瞬态热阻抗曲线
P70F5EN的主要特点：
•FTO-220AG绝缘封装
•漏极-源极电压VDSS 最大值为50V
•漏极电流（DC）ID最大值为70A
•正向跨导gfs最小值为25S（ID＝35A,VDS＝10V）
•可承受单脉冲雪崩电流IAS达70A，可承受单脉冲雪崩能量EAS为245mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为2.7mΩ（ID＝35A,VGS＝10V）
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•结壳热阻θjc最大为2.35℃/W
•器件总损耗功率最大值为53W
•总栅极电荷Qg典型值为100nC，栅源电荷Qgs典型值仅为26nC（VDD=40V，VGS=10V，ID=70A）
•导通延迟时间td（on)典型值为13ns，上升时间tr典型值为45ns，关断延迟时间td（off)典型值为53ns，下降时间tf典型值为44ns（ID=35A，RL=0.71Ω，VDD=25V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零栅极电压漏电流IDSS最大仅为1uA（VDS=50V，VGS=0V）
•栅极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
P70F5EN的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•逆变器
•驱动器
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