【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量达245mJ
P70F5EN是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款50V，70A的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），可满足中型功率器件需求。其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量，这使得MOSFET在电路中自身损耗更低，能够为MOSFET提供好的保护，可以保障MOSFET在中型功率场合下的可靠性及稳定性。P70F5EN主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
图一：P70F5EN外部视图
P70F5EN拥有不错的导通性能，其导通延迟时间td（on)典型值为13ns，拥有高开关速度，能够满足高频开关电路的设计需求。其栅源电荷Qgs典型值仅为26nC，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为86nC，有着较好的开关性能。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。此外，器件的绝缘耐压值为2kV，单脉冲雪崩能量高达245mJ，可以提供较好的保护。
图二：P70F5EN典型输出特性及转移特性曲线
P70F5EN采用FTO-220AG三引脚绝缘封装，结壳热阻θjc最大值仅为2.35℃/W，总耗散功率最大值仅为53W，有效地提高了能源利用效率。（以上参数的具体条件详见主要特点）
图三：P70F5EN电容特性曲线
图四：P70F5EN瞬态热阻抗曲线
P70F5EN的主要特点：
•FTO-220AG绝缘封装
•漏极-源极电压VDSS 最大值为50V
•漏极电流（DC）ID最大值为70A
•正向跨导gfs最小值为25S（ID＝35A,VDS＝10V）
•可承受单脉冲雪崩电流IAS达70A，可承受单脉冲雪崩能量EAS为245mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为2.7mΩ（ID＝35A,VGS＝10V）
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•结壳热阻θjc最大为2.35℃/W
•器件总损耗功率最大值为53W
•总栅极电荷Qg典型值为100nC，栅源电荷Qgs典型值仅为26nC（VDD=40V，VGS=10V，ID=70A）
•导通延迟时间td（on)典型值为13ns，上升时间tr典型值为45ns，关断延迟时间td（off)典型值为53ns，下降时间tf典型值为44ns（ID=35A，RL=0.71Ω，VDD=25V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零栅极电压漏电流IDSS最大仅为1uA（VDS=50V，VGS=0V）
•栅极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
P70F5EN的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•逆变器
•驱动器
技术顾问：两星镶月
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 10
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
相关研发服务和供应服务
评论
全部评论（10）
-
![]()
![]()
serena Lv7. 资深专家 2018-08-15学习了一些新指标 -
![]()
![]()
冷锋 Lv7. 资深专家 2018-08-13学习 -
![]()
![]()
人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-04收藏了 -
![]()
![]()
titan Lv8. 研究员 2018-08-03学习了 -
![]()
号角 Lv5 2018-07-29学习 -
![]()
![]()
月月 Lv3. 高级工程师 2018-07-19学习 -
![]()
![]()
游来游去 Lv8. 研究员 2018-07-03学习 -
![]()
用户18396822 Lv8 2018-05-15good -
![]()
![]()
Roonie Lv7. 资深专家 2018-03-14很好，学习了 -
![]()
![]()
空格 Lv4. 资深工程师 2018-03-08看看，学习了
相关推荐
【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。
【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET，集成高速二极管
P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET，其总栅极电荷10.5nC，高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
【经验】延长40V/130A六合一MOSFET模块使用使用寿命小技巧
Shindengen MG005G 40V/130A六合一MOSFET模块，不但可以解决模块散热的问题，还可以最大程度上减小PCB板面积。
【产品】高度仅1.1mm的10A高功率密度二极管满足汽车电子小型化设计
D10FY15ST采用TO-227A封装，有良好的高、低温特性，具有0.3mm厚的铅层，适用于汽车电子产品中。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F20W60C3数据手册
描述- 该资料介绍了F2W60C3型号的功率MOSFET器件，包括其特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- COOLMOS C3,F20W60C3,F20W60C3-7000
【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETsF11F60C3M数据手册
描述- 该资料介绍了型号为F1F60C3M的600V 11A功率MOSFET器件。资料内容包括产品特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- F11F60C3M-7600,COOLMOS C3,F11F60C3M
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F11F60CPM数据手册
描述- 该资料介绍了F1F60CPM型600V 11A功率MOSFET的特点和应用。它具有低烟阻、绝缘包装等特点，适用于各种电源电路。
型号- F11F60CPM,COOLMOS CP,F11F60CPM-7600
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F25FH60CP数据手册
描述- 该资料详细介绍了一种型号为F2 5FH60CP的600V 25A功率MOSFET。它具有高电压、快速开关和低导通电阻等特点，适用于各种电源转换和应用。
型号- COOLMOS CP,F25FH60CP-7071,F25FH60CP
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F39W60CP数据手册
描述- 该资料介绍了F390CP型600V 39A MOSFET的特点和应用。主要包括其高压、高速开关特性，低导通电阻，适用于各种电源转换和电机控制应用。
型号- F39W60CP,COOLMOS CP,F39W60CP-7000
【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
电子商城
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论