【产品】P沟道增强型功率MOSFET RC3415,具有高功率和电流处理能力,适合用作负载开关或PWM应用
正芯推出的P沟道增强型功率MOSFET RC3415使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它具有ESD保护。
特点
●VDS=-20V,ID=-4A
RDS(ON)<60mΩ@VGS=-2.5V
RDS(ON)<40mΩ@VGS=-4.5V
ESD额定值:2000V HBM
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负载开关
封装标记和订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明,否则TA=25℃)
热特性
电气特性(除非另有说明,TA=25℃)
注意:
1. 重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制。
2. 表面安装在FR4板上,t≤10秒。
3. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
4. 以设计为准,不以生产为准
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由叫我大表哥吧翻译自正芯,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407,适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列,器件采用先进的沟槽工艺技术,提供出色的漏源导通电阻RDS(ON),低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性,器件适用于负载开关及PWM应用领域。
【产品】采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953,适合于负载开关、PWM应用和电源管理
丽正国际(RECTRON)推出一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953。该器件采用先进的沟槽技术,具有出色的R-DS(ON)、低栅极电荷和工作时栅极电压低至4.5V的特性,适合于负载开关或PWM应用。
【产品】P沟道增强型功率MOSFET 30P55K,最大脉冲漏极电流高达-134A,耗散功率最大值为24.8W
富满电子推出的型号为30P55K的P沟道增强型功率MOSFET,器件为TO-252封装,采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷,该器件适用于PWM应用,负载开关和电源管理等应用领域。
正芯MOSFET选型表
正芯提供以下技术参数的MOSFET选型,包含:N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、N+P沟道MOSFET。Vdss(耐受的最大电压):-100V~650V,Id(能通过的电流):-100A~165A,Pd(承受最大功率):0.01W~195W,Rds(导通电阻):0.65mΩ~1350mΩ等
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
V(BR)DSS(V)
|
Id(A)
|
Pd(W)
|
VGS(V)
|
IDM(A)
|
Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
RC2312
|
MOSFET
|
N
|
20V
|
7A
|
0.35W
|
±8.0V
|
20A
|
15mΩ
|
25mΩ
|
选型表 - 正芯 立即选型
HM20P02D P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了+03'型号的P沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术,提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和最低2.5V的栅极电压下的操作能力。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
型号- HM20P02D
RM60P04Y P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了RM60P04Y型P沟道增强型功率MOSFET的特性、应用和电气参数。该器件采用先进的沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关和PWM应用。
型号- RM60P04YV,RM60P04Y
NCE25P60K NCE P沟道增强型功率MOSFET
描述- NCE25P60K是一款采用先进沟槽技术的P-Channel增强型功率MOSFET,具有低RDS(ON)和低栅极电荷的特点,适用于负载开关和PWM应用。该器件具有高密度单元格设计,超低Rdson,完全表征的雪崩电压和电流,以及良好的散热封装。
型号- NCE25P60K
30DP8 P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的30DP8型号P沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
型号- 30DP8
JMTL2301C JMT P沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMTL2301C型P沟道增强型功率MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和低栅极电荷,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- JMTL2301C,JMT
NCE2309 NCE P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE2309型P沟道增强模式功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用先进的槽技术设计,具有低导通电阻和高密度单元设计,适用于负载开关和PWM应用。
型号- NCE2309
JMTK130P04A JMT P沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMTK130P04A型P沟道增强模式功率MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件采用先进的 trench 技术制造,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- JMT,JMTK130P04A
RM6P20ES6 P沟道增强型功率MOSFET
描述- RM6P20ES6是一款采用先进沟槽技术的P-Channel增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作能力。该器件适用于负载开关或PWM应用,并具备ESD保护功能。
型号- RM6P20ES6
NCE60P04Y NCE P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE60P04Y型P沟道增强模式功率MOSFET的特性。该器件采用先进的槽技术设计,具有低导通电阻和高密度单元格设计,适用于负载开关或PWM应用。
型号- NCE60P04Y
JMTQ160P03A JMT P沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMTQ160P03A型P沟道增强模式功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用先进的 trench 技术制造,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- JMT,JMTQ160P03A
NCE3415 NCE P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE3415型号的P-Channel增强型功率MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术,具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和最低1.8V的栅极电压操作能力。适用于负载开关或PWM应用,具备高功率和电流处理能力,且为无铅产品,采用表面贴装封装。
型号- NCE3415
电子商城
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论