【产品】P沟道增强型功率MOSFET RC3415，具有高功率和电流处理能力，适合用作负载开关或PWM应用

时间： 2023-02-02 来源：正芯

技术问答

正芯推出的P沟道增强型功率MOSFET RC3415使用先进的沟槽技术提供出色的R_DS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它具有ESD保护。

特点

●V_DS=-20V，I_D=-4A

R_DS(ON)<60mΩ@VGS=-2.5V

R_DS(ON)<40mΩ@VGS=-4.5V

ESD额定值：2000V HBM

●高功率和电流处理能力

●无铅产品

●表面贴装封装

应用

●PWM应用

●负载开关

封装标记和订购信息

绝对最大额定值（除非另有说明，否则TA=25℃）

热特性

电气特性（除非另有说明，TA=25℃）

注意：

1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

2. 表面安装在FR4板上，t≤10秒。

3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4. 以设计为准，不以生产为准

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