【产品】P沟道增强型功率MOSFET RC3415，具有高功率和电流处理能力，适合用作负载开关或PWM应用
正芯推出的P沟道增强型功率MOSFET RC3415使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它具有ESD保护。
特点
●VDS=-20V，ID=-4A
RDS(ON)<60mΩ@VGS=-2.5V
RDS(ON)<40mΩ@VGS=-4.5V
ESD额定值：2000V HBM
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负载开关
封装标记和订购信息
绝对最大额定值（除非另有说明，否则TA=25℃）
热特性
电气特性（除非另有说明，TA=25℃）
注意：
1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
2. 表面安装在FR4板上，t≤10秒。
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4. 以设计为准，不以生产为准
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正芯MOSFET选型表
正芯提供以下技术参数的MOSFET选型，包含：N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、N+P沟道MOSFET。Vdss（耐受的最大电压）：-100V~650V，Id（能通过的电流）：-100A~165A，Pd（承受最大功率）：0.01W~195W，Rds（导通电阻）：0.65mΩ~1350mΩ等
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产品型号
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品类
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Polarity
|
V(BR)DSS(V)
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Id(A)
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Pd(W)
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VGS(V)
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IDM(A)
|
Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
|
RC2312
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MOSFET
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N
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20V
|
7A
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0.35W
|
±8.0V
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20A
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15mΩ
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25mΩ
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选型表 - 正芯 立即选型
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型号- HM20P02D
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型号- RM60P04YV,RM60P04Y
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型号- NCE3415
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