【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET
P0R5B60HP2是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款600V，0.5A的N沟道耐高压MOSFET，其漏极-源极电压VDSS高达600V，门源电压VGSS为±30V，可满足高电压的工作环境。此外，该器件还拥有极小的电荷量，总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC，有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
图一：P0R5B60HP2外部视图
P0R5B60HP2还拥有极快的开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值仅为9ns，上升时间tr典型值为5ns，关断延迟时间td（off)典型值为26ns，下降时间tf典型值为30ns，能够满足高频开关电路的设计需求。器件的输入电容Ciss典型值为120pF，反向传输电容Crss典型值仅为3.3pF，有着较好的开关性能。器件拥有高雪崩耐久性，漏源二极管di / dt耐受值为350A/µs，可以提供较好的安全保障。
图二：P0R5B60HP2典型输出特性及转移特性曲线
P0R5B60HP2的正向跨导gfs典型值仅为0.8S，MOSFET拥有较好的放大能力。静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为8.3Ω，结壳热阻θjc最大值仅为3.55℃/W，拥有较低的损耗。（以上参数的具体条件详见主要特点）
图三：P0R5B60HP2电容特性曲线
P0R5B60HP2采用SMD的封装方式，尺寸仅10.0mm×6.6mm×2.3mm，节省了设计空间，其总损耗功率最大值仅为35W，有效地提高了能源利用效率。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。
P0R5B60HP2的主要特点：
•SMD小尺寸封装
•漏极-源极电压VDSS 高达600V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为0.5A
•正向跨导gfs典型值仅为0.8S（ID＝0.25A,VDS＝10V）
•漏源二极管di / dt耐受值为350A/µs（Is=0.5A，Tc=25℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为8.3Ω（ID＝0.25A,VGS＝10V）
•结壳热阻θjc最大为3.55℃/W
•器件总损耗功率最大值为35W
•总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC（VDD=400V，VGS=10V，ID=0.5A）
•导通延迟时间td（on)典型值为9ns，上升时间tr典型值为5ns，关断延迟时间td（off)典型值为26ns，下降时间tf典型值为30ns（ID=0.25A，RL=600Ω，VDD=150V，Rg=50Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
•输入电容Ciss典型值为120pF，反向传输电容Crss典型值仅为3.3pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
P0R5B60HP2的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•逆变器
•驱动器
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