【产品】400V，9A的高压N沟道功率MOSFET，大功率电路设计首选
P9B40HP2是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款400V，9A的N沟道功率MOSFET，其漏极-源极电压VDSS 最高可达400V，漏极持续电流（DC）ID最大值为9A，可满足高电压的工作环境及大功率电路的设计需求。可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。
图一：P9B40HP2外部视图
P9B40HP2的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。器件的零门极电压漏电流IDSS最大为100uA，门极-源极漏电流IGSS最大为±10uA，正向跨导gfs典型值为7S，有效确保器件在运行过程中具有低损耗。同时P9B40HP2具有低导通电阻，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为0.65Ω，总门极电荷Qg典型值仅为14.5nC，不仅可使器件更好满足高速电路设计，同时具有更低损耗。器件的门阈电压VTH典型值为3.75V，源极-漏极二极管正向电压VSD最大值为1.5V。
图二：P9B40HP2典型输出特性及转移特性曲线
P9B40HP2采用SMD的封装方式，兼具小尺寸、低噪音等优点，其总损耗功率最大值仅为40W，结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W，拥有较低的损耗，有效地提高了能源利用效率。此外，器件还拥有较低的反向传输电容（典型值仅5pF）及导通延迟时间（典型值仅为8.5ns），有着较好的传输特性及导通特性。（以上参数的具体条件详见主要特点）
图三：P9B40HP2瞬态热阻抗及电容特性曲线
P9B40HP2的主要特点：
•低噪声
•漏极-源极电压VDSS 高达400V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为9A
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
• 零门极电压漏电流IDSS最大仅为100uA（VDS=400V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±10uA（VGS=±25V，VDS=0V）
•正向跨导gfs典型值仅为7S（ID＝4.5A,VDS＝10V）
• 漏源二极管di / dt耐受值为350A/µs（Is=9A，Tc=25℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为0.65Ω（ID＝4.5A,VGS＝10V）
•门阈电压VTH典型值为3.75V（ID＝1mA，VDS＝10V）
•源极-漏极二极管正向电压VSD最大值为1.5V（Is＝4.5A，VGS＝0V）
•总门极电荷Qg典型值仅为14.5nC（VDD=320V，VGS=10V，ID=9A）
•SMD小尺寸封装
•结壳热阻θjc最大为3.12℃/W
•器件总损耗功率最大值为40W
•反向传输电容Crss典型值仅为5pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）
•导通延迟时间td（on)典型值为8.5ns，上升时间tr典型值为30ns，关断延迟时间td（off)典型值为50ns，下降时间tf典型值为25ns（ID=4.5A，RL=33.3Ω，VDD=150V，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
P9B40HP2的主要应用：
•开关电路
•驱动器
•逆变器
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