【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET，大功率电源及充电器设计首选
P20FH50HP2是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款500V，20A的N沟道高耐压MOSFET，适合大功率电源以及充电器设计等应用。相比于标准功率MOSFET，P20FH50HP2具有损耗低、工作电压高、导通电阻小（0.29Ω）等优势，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
图一：P20FH50HP2外部视图
P20FH50HP2采用小型SMD封装，尺寸仅15.25mm×10.2mm×4.6mm，结壳热阻θjc最大值仅为0.71℃/W，产热少，可使功率电路的热设计更简单，更有助于小型化设计。器件功耗最大值为175W，可承受单脉冲雪崩能量EAS为70mJ，不仅扩展了MOSFET管的应用范围，还可以保障MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。
图二：P20FH50HP2典型输出特性及转移特性曲线
P20FH50HP2的反向传输电容Crss典型值仅为10pF，有着较好的开关性能。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。漏源二极管di / dt耐受值为350A/µs，可以提供较好的安全保障。
图三：P20FH50HP2瞬态热阻抗及电容特性曲线
P20FH50HP2的主要特点：
•N沟道功率MOSFET
•漏极-源极电压VDSS 高达500V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为20A
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•漏电流IDSS最大仅为100uA（VDS=500V，VGS=0V）
•漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±30V，VDS=0V）
•正向跨导gfs典型值20.5S（ID＝10A,VDS＝10V）
•漏源二极管di / dt耐受值为350A/µs（Is=20A，Tc=25℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为0.29Ω（ID＝10A,VGS＝10V）
•阈值电压VTH典型值为3.75V（ID＝1mA，VDS＝10V）
•源-漏极二极管正向电压VSD最大值为1.5V（Is＝10A，VGS＝0V）
•总栅极电荷Qg典型值仅为40nC（VDD=400V，VGS=10V，ID=20A）
•SMD小尺寸封装
•结壳热阻θjc最大为0.71℃/W
•器件功耗最大值为175W
•反向传输电容Crss典型值为10pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）
P20FH50HP2的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•逆变器
•驱动器
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钱庐午 Lv9. 科学家 2018-08-20好 -
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我很忙 Lv4. 资深工程师 2018-08-16厉害了 -
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梦幻天涯 Lv7. 资深专家 2018-08-13不错哦 -
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纤纤 Lv6. 高级专家 2018-08-12学习了 -
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Tonyxing Lv8. 研究员 2018-07-31不错 -
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terrydl Lv9. 科学家 2018-07-17学习 -
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小蜻蜓 Lv4. 资深工程师 2018-06-17学习 -
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eric陈 Lv7. 资深专家 2018-03-17不错，合适用，可以考虑。
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