【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET，大功率电源及充电器设计首选
P20FH50HP2是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款500V，20A的N沟道高耐压MOSFET，适合大功率电源以及充电器设计等应用。相比于标准功率MOSFET，P20FH50HP2具有损耗低、工作电压高、导通电阻小（0.29Ω）等优势，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
图一：P20FH50HP2外部视图
P20FH50HP2采用小型SMD封装，尺寸仅15.25mm×10.2mm×4.6mm，结壳热阻θjc最大值仅为0.71℃/W，产热少，可使功率电路的热设计更简单，更有助于小型化设计。器件功耗最大值为175W，可承受单脉冲雪崩能量EAS为70mJ，不仅扩展了MOSFET管的应用范围，还可以保障MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。
图二：P20FH50HP2典型输出特性及转移特性曲线
P20FH50HP2的反向传输电容Crss典型值仅为10pF，有着较好的开关性能。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。漏源二极管di / dt耐受值为350A/µs，可以提供较好的安全保障。
图三：P20FH50HP2瞬态热阻抗及电容特性曲线
P20FH50HP2的主要特点：
•N沟道功率MOSFET
•漏极-源极电压VDSS 高达500V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为20A
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•漏电流IDSS最大仅为100uA（VDS=500V，VGS=0V）
•漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±30V，VDS=0V）
•正向跨导gfs典型值20.5S（ID＝10A,VDS＝10V）
•漏源二极管di / dt耐受值为350A/µs（Is=20A，Tc=25℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为0.29Ω（ID＝10A,VGS＝10V）
•阈值电压VTH典型值为3.75V（ID＝1mA，VDS＝10V）
•源-漏极二极管正向电压VSD最大值为1.5V（Is＝10A，VGS＝0V）
•总栅极电荷Qg典型值仅为40nC（VDD=400V，VGS=10V，ID=20A）
•SMD小尺寸封装
•结壳热阻θjc最大为0.71℃/W
•器件功耗最大值为175W
•反向传输电容Crss典型值为10pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）
P20FH50HP2的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•逆变器
•驱动器
技术顾问：叵仄兮
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 9
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
相关研发服务和供应服务
评论
全部评论（9）
-
![]()
![]()
钱庐午 Lv9. 科学家 2018-08-20好 -
![]()
![]()
我很忙 Lv4. 资深工程师 2018-08-16厉害了 -
![]()
![]()
梦幻天涯 Lv7. 资深专家 2018-08-13不错哦 -
![]()
![]()
宇宙星神 Lv6. 高级专家 2018-08-13学习了 -
![]()
![]()
纤纤 Lv6. 高级专家 2018-08-12学习了 -
![]()
![]()
Tonyxing Lv8. 研究员 2018-07-31不错 -
![]()
![]()
terrydl Lv9. 科学家 2018-07-17学习 -
![]()
![]()
小蜻蜓 Lv4. 资深工程师 2018-06-17学习 -
![]()
![]()
eric陈 Lv7. 资深专家 2018-03-17不错，合适用，可以考虑。
相关推荐
【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。
【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET，集成高速二极管
P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET，其总栅极电荷10.5nC，高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
【经验】延长40V/130A六合一MOSFET模块使用使用寿命小技巧
Shindengen MG005G 40V/130A六合一MOSFET模块，不但可以解决模块散热的问题，还可以最大程度上减小PCB板面积。
【产品】高度仅1.1mm的10A高功率密度二极管满足汽车电子小型化设计
D10FY15ST采用TO-227A封装，有良好的高、低温特性，具有0.3mm厚的铅层，适用于汽车电子产品中。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F20W60C3数据手册
描述- 该资料介绍了F2W60C3型号的功率MOSFET器件，包括其特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- COOLMOS C3,F20W60C3,F20W60C3-7000
【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETsF11F60C3M数据手册
描述- 该资料介绍了型号为F1F60C3M的600V 11A功率MOSFET器件。资料内容包括产品特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- F11F60C3M-7600,COOLMOS C3,F11F60C3M
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F11F60CPM数据手册
描述- 该资料介绍了F1F60CPM型600V 11A功率MOSFET的特点和应用。它具有低烟阻、绝缘包装等特点，适用于各种电源电路。
型号- F11F60CPM,COOLMOS CP,F11F60CPM-7600
【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F25FH60CP数据手册
描述- 该资料详细介绍了一种型号为F2 5FH60CP的600V 25A功率MOSFET。它具有高电压、快速开关和低导通电阻等特点，适用于各种电源转换和应用。
型号- COOLMOS CP,F25FH60CP-7071,F25FH60CP
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F39W60CP数据手册
描述- 该资料介绍了F390CP型600V 39A MOSFET的特点和应用。主要包括其高压、高速开关特性，低导通电阻，适用于各种电源转换和电机控制应用。
型号- F39W60CP,COOLMOS CP,F39W60CP-7000
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
电子商城
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论