【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
P60B4EL是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET，其漏极-源极电压VDSS 为40V，门源电压VGSS为±20V，漏极持续电流（DC）ID最大值为60A，可满足大功率电路的设计需求。该款MOSFET具有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，上升时间tr典型值为24ns，关断延迟时间td（off)典型值为22ns，下降时间tf典型值为4ns，可以很好地满足高频开关电路设计需求，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
图一：P60B4EL的封装尺寸图
N沟道功率MOSFET P60B4EL的零门极电压漏电流IDSS最大为1uA，门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA，有效确保了器件在运行过程中具有低损耗。同时P60B4EL具有低导通电阻，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），可使MOSFET在电路中自身损耗更低。此外，P60B4EL的总门极电荷Qg典型值为57nC，不仅可使器件更好满足高速电路设计，同时具有更低损耗。器件正向跨导gfs典型值为38S，MOSFET拥有较好的放大能力。
图二：P60B4EL典型输出特性曲线
N沟道功率MOSFET P60B4EL内部集成了高速二极管，二极管反向恢复时间trr典型值为40ns，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为47nC，内部集成二极管可承受单一雪崩电流IAS为40A，可承受单一雪崩能量EAS为175mJ，能够为MOSFET提供最佳保护。
图三：P60B4EL转移特性曲线
N沟道功率MOSFET P60B4EL的总耗散功率PT最大为62.5W，存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃，结壳热阻θjc最大仅为2℃/W，这确保了该款MOSFET可以承受大功率应用的自身发热，使系统更加稳定可靠。
P60B4EL的主要特点：
•漏极-源极电压VDSS最大值为40V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为60A
•10V门级驱动
•导通延迟时间td（on)典型值为10ns，上升时间tr典型值为24ns，关断延迟时间td（off)典型值为22ns，下降时间tf典型值 为4ns（ID=30A，RL=0.67Ω，VDD=20V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零门极电压漏电流IDSS最大仅为1uA（VDS=40V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
• 静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V）
•总门极电荷Qg典型值为57nC（VDD=32V，VGS=10V，ID=60A）
•正向跨导gfs典型值为38S（ID＝30A,VDS＝10V）
• 可承受单一雪崩电流IAS达40A，可承受单一雪崩能量EAS为175mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
•总耗散功率PT最大为62.5W
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•结壳热阻θjc最大仅为2℃/W
P60B4EL的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•能源管理
•电机驱动
技术顾问：惠惠
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阿丹 Lv6. 高级专家 2018-08-11报道 -
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用户95404288 Lv8. 研究员 2018-08-05学习 -
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用户18396822 Lv8 2018-07-28支持 -
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自强 Lv7. 资深专家 2018-07-05不错，赞一个！ -
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guojun Lv9. 科学家 2018-03-10只采取散热片降温的方式，开关电流能达到多少？供电电压24V的条件下。- 世小强回复： 您好，相关技术问题可到“技术难题”频道提问，我们有专家团队为您提供专业的解答！
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