【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
P20B12SN是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其漏极-源极电压VDSS 为120V，门源电压VGSS为±20V，漏极持续电流（DC）ID最大值为20A，器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动等应用而设计。
图一：P20B12SN外部视图
N沟道功率MOSFET P20B12SN的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ（ID＝10A,VGS＝10V），这代表器件拥有较低的损耗，可减少自身发热。它的结壳热阻θjc最大仅为2.84℃/W，有较低的能量损耗，器件总损耗功率最大值为44W，提高了能源利用效率。
图二：P20B12SN典型输出特性及转移特性曲线
N沟道功率MOSFET P20B12SN拥有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为7ns，上升时间tr典型值为10ns，关断延迟时间td（off)典型值为22ns，下降时间tf典型值为6ns，可满足高频开关电路设计需求。器件零门极电压漏电流IDSS最大为1uA，门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA，有效确保器件在运行过程中具有低损耗，正向跨导gfs典型值为16S。
图三：P20B12SN电容特性曲线
N沟道功率MOSFET P20B12SN可承受单一的雪崩电流IAS为18A，可承受雪崩能量EAS为37mJ，可为MOSFET提供较好的保护。器件总门极电荷Qg典型值为37nC，输入电容Ciss为1740pF，有着较好的开关性能，可使器件更好满足高速电路设计。MOSFET内部集成了高速二极管，二极管反向恢复时间trr典型值为59ns，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为128nC。
P20B12SN的主要特点：
•封装SMD（FB）
•10V门级驱动
• 漏极-源极电压VDSS 为120V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为20A
•存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃
• 静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ（ID＝10A,VGS＝10V）
•结壳热阻θjc最大仅为2.84℃/W
•器件总损耗功率最大值为44W
•导通延迟时间td（on)典型值为7ns，上升时间tr典型值为10ns，关断延迟时间td（off)典型值为22ns，下降时间tf典型值为6ns（ID=10A，RL=6Ω，VDD=60V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零门极电压漏电流IDSS最大仅为1uA（VDS=120V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
•总门极电荷Qg典型值为37nC（VDD=96V，VGS=10V，ID=20A）
•正向跨导gfs典型值为16S（ID＝10A,VDS＝10V）
•输入电容Ciss为1740pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）
• 可承受单一雪崩电流IAS达18A，可承受单一雪崩能量EAS为37mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
P20B12SN的主要应用：
•负载/电源开关
•电机控制
•DC-DC转换
•继电器驱动
技术顾问：惠惠
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 6
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
相关研发服务和供应服务
评论
全部评论（6）
-
![]()
![]()
希望的风 Lv8. 研究员 2018-08-19收藏 -
![]()
![]()
辛巴 Lv8. 研究员 2018-08-15好 -
![]()
![]()
用户95404288 Lv8. 研究员 2018-08-14学习 -
![]()
![]()
阿丹 Lv6. 高级专家 2018-08-10学习学习 -
![]()
![]()
watson Lv7. 资深专家 2018-05-29学习了 -
![]()
![]()
三3三 Lv8. 研究员 2018-04-14学习了
相关推荐
【产品】100V/120V/150V，20A的大功率肖特基
新电元（ShinDengen）公司推出了一款高性能肖特基二极管SG20TC10M/SG20TC12M/SG20TC15M，可承受峰值正向浪涌电流最高可达200A，正向导通电压最大0.86V/0.87V/0.88V，是高频整流设计的不二选择。
新产品 发布时间 : 2018-02-25
【产品】600V，30A整流二极管助力大功率电路，IFSM最大值高达300A
新电元的D30VC60是一款600V，30A双二极管，它采用D30VC的方形嵌入式封装方式，应用Faston端子，使器件拥有良好的耐热性以及较高的可靠性，可用于通用二极管、防反二极管以及通用电源等应用。
新产品 发布时间 : 2018-03-08
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
新产品 发布时间 : 2018-03-17
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
新应用 发布时间 : 2019-07-27
【经验】延长40V/130A六合一MOSFET模块使用使用寿命小技巧
Shindengen MG005G 40V/130A六合一MOSFET模块，不但可以解决模块散热的问题，还可以最大程度上减小PCB板面积。
设计经验 发布时间 : 2019-07-16
【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。
新产品 发布时间 : 2018-03-05
【产品】600V/15A功率 MOSFET，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs
新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2，全功率损耗为175W，单脉冲雪崩能量为65mJ，可满足一般电源系统的设计要求，适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。
新产品 发布时间 : 2018-03-04
【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
新产品 发布时间 : 2018-03-10
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
新产品 发布时间 : 2018-03-10
【产品】400V，9A的高压N沟道功率MOSFET，大功率电路设计首选
新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET，兼具小尺寸、低噪音等优点，其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W，可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。
新产品 发布时间 : 2018-03-08
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论