【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
P20B12SN是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其漏极-源极电压VDSS 为120V，门源电压VGSS为±20V，漏极持续电流（DC）ID最大值为20A，器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动等应用而设计。
图一：P20B12SN外部视图
N沟道功率MOSFET P20B12SN的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ（ID＝10A,VGS＝10V），这代表器件拥有较低的损耗，可减少自身发热。它的结壳热阻θjc最大仅为2.84℃/W，有较低的能量损耗，器件总损耗功率最大值为44W，提高了能源利用效率。
图二：P20B12SN典型输出特性及转移特性曲线
N沟道功率MOSFET P20B12SN拥有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为7ns，上升时间tr典型值为10ns，关断延迟时间td（off)典型值为22ns，下降时间tf典型值为6ns，可满足高频开关电路设计需求。器件零门极电压漏电流IDSS最大为1uA，门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA，有效确保器件在运行过程中具有低损耗，正向跨导gfs典型值为16S。
图三：P20B12SN电容特性曲线
N沟道功率MOSFET P20B12SN可承受单一的雪崩电流IAS为18A，可承受雪崩能量EAS为37mJ，可为MOSFET提供较好的保护。器件总门极电荷Qg典型值为37nC，输入电容Ciss为1740pF，有着较好的开关性能，可使器件更好满足高速电路设计。MOSFET内部集成了高速二极管，二极管反向恢复时间trr典型值为59ns，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为128nC。
P20B12SN的主要特点：
•封装SMD（FB）
•10V门级驱动
• 漏极-源极电压VDSS 为120V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为20A
•存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃
• 静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ（ID＝10A,VGS＝10V）
•结壳热阻θjc最大仅为2.84℃/W
•器件总损耗功率最大值为44W
•导通延迟时间td（on)典型值为7ns，上升时间tr典型值为10ns，关断延迟时间td（off)典型值为22ns，下降时间tf典型值为6ns（ID=10A，RL=6Ω，VDD=60V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零门极电压漏电流IDSS最大仅为1uA（VDS=120V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
•总门极电荷Qg典型值为37nC（VDD=96V，VGS=10V，ID=20A）
•正向跨导gfs典型值为16S（ID＝10A,VDS＝10V）
•输入电容Ciss为1740pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）
• 可承受单一雪崩电流IAS达18A，可承受单一雪崩能量EAS为37mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
P20B12SN的主要应用：
•负载/电源开关
•电机控制
•DC-DC转换
•继电器驱动
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用户95404288 Lv8. 研究员 2018-08-14学习 -
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阿丹 Lv6. 高级专家 2018-08-10学习学习 -
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watson Lv7. 资深专家 2018-05-29学习了 -
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三3三 Lv8. 研究员 2018-04-14学习了
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