【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
P22F10SN是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款100V，22A的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，可用于开关、放大、显卡电源、逆变器等电子电路中。
图一：P22F10SN的外部视图及等效原理图
P22F10SN拥有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为8ns，上升时间tr典型值为17ns，关断延迟时间td（off)典型值为25ns，下降时间tf典型值为6ns，二极管反向恢复时间trr典型值为53ns，能够满足高频开关电路的设计需求。它还拥有较小的电荷量，总门极电荷Qg典型值仅为34nC，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为102nC，反向传输电容Crss典型值仅为75pF，有着较好的开关性能。此外，器件的绝缘耐压值为2kV，可以提供较好的保护。
图二：P22F10SN典型输出特性及转移特性曲线
P22F10SN采用FTO-220AG三引脚的封装，厚度仅4.5mm，结壳热阻θjc最大值为3.55℃/W，总损耗功率最大值仅为35W，有效地提高了能源利用效率。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其静态漏源导通电阻R（DS）ON最大值为28mΩ（ID＝11A,VGS＝10V），拥有较低的损耗。
图三：P22F10SN电容特性曲线
P22F10SN的主要特点：
•漏极-源极电压VDSS 为100V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为22A
•FTO-220AG三引脚封装，较好的隔离特性
•10V门级驱动
•正向跨导gfs最小值为7S（ID＝11A，VDS＝10V）
• 可承受单一的雪崩电流IAS达20A，可承受雪崩能量EAS为20mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON最大值仅为28mΩ（ID＝11A，VGS＝10V）
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•结壳热阻θjc最大为3.55℃/W
•器件总损耗功率最大值仅为35W
•总门极电荷Qg典型值为34nC（VDD=80V，VGS=10V，ID=22A）
•导通延迟时间td（on)典型值为8ns，上升时间tr典型值为17ns，关断延迟时间td（off)典型值为25ns，下降时间tf典型值为6ns（ID=11A，RL=4.55Ω，VDD=50V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零门极电压漏极电流IDSS最大仅为1uA（VDS=100V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
•反向传输电容Crss典型值仅为75pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）
P22F10SN的主要应用：
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•DC-DC转换器
•电源管理
技术顾问：惠惠
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 5
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
评论
全部评论（5）
-
![]()
![]()
用户69940427 Lv3. 高级工程师 2018-09-08学习 -
![]()
![]()
人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-01学习学习 -
![]()
![]()
游来游去 Lv8. 研究员 2018-07-22学习 -
![]()
用户18396822 Lv8 2018-07-15不错 -
![]()
![]()
小蜻蜓 Lv4. 资深工程师 2018-06-03学习
相关推荐
【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。
【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET，集成高速二极管
P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET，其总栅极电荷10.5nC，高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
【经验】延长40V/130A六合一MOSFET模块使用使用寿命小技巧
Shindengen MG005G 40V/130A六合一MOSFET模块，不但可以解决模块散热的问题，还可以最大程度上减小PCB板面积。
【产品】高度仅1.1mm的10A高功率密度二极管满足汽车电子小型化设计
D10FY15ST采用TO-227A封装，有良好的高、低温特性，具有0.3mm厚的铅层，适用于汽车电子产品中。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F20W60C3数据手册
描述- 该资料介绍了F2W60C3型号的功率MOSFET器件，包括其特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- COOLMOS C3,F20W60C3,F20W60C3-7000
【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETsF11F60C3M数据手册
描述- 该资料介绍了型号为F1F60C3M的600V 11A功率MOSFET器件。资料内容包括产品特性、外观图、绝对最大额定值、电气和热特性等详细信息。
型号- F11F60C3M-7600,COOLMOS C3,F11F60C3M
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F11F60CPM数据手册
描述- 该资料介绍了F1F60CPM型600V 11A功率MOSFET的特点和应用。它具有低烟阻、绝缘包装等特点，适用于各种电源电路。
型号- F11F60CPM,COOLMOS CP,F11F60CPM-7600
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F25FH60CP数据手册
描述- 该资料详细介绍了一种型号为F2 5FH60CP的600V 25A功率MOSFET。它具有高电压、快速开关和低导通电阻等特点，适用于各种电源转换和应用。
型号- COOLMOS CP,F25FH60CP-7071,F25FH60CP
Shindengen（新电元） 功率MOSFETs F39W60CP数据手册
描述- 该资料介绍了F390CP型600V 39A MOSFET的特点和应用。主要包括其高压、高速开关特性，低导通电阻，适用于各种电源转换和电机控制应用。
型号- F39W60CP,COOLMOS CP,F39W60CP-7000
【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET，大功率电源及充电器设计首选
新电元的P20FH50HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，适合大功率电源以及充电器设计等应用。器件功耗最大值为175W，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
电子商城
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论