【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
P22F10SN是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款100V，22A的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，可用于开关、放大、显卡电源、逆变器等电子电路中。
图一：P22F10SN的外部视图及等效原理图
P22F10SN拥有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为8ns，上升时间tr典型值为17ns，关断延迟时间td（off)典型值为25ns，下降时间tf典型值为6ns，二极管反向恢复时间trr典型值为53ns，能够满足高频开关电路的设计需求。它还拥有较小的电荷量，总门极电荷Qg典型值仅为34nC，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为102nC，反向传输电容Crss典型值仅为75pF，有着较好的开关性能。此外，器件的绝缘耐压值为2kV，可以提供较好的保护。
图二：P22F10SN典型输出特性及转移特性曲线
P22F10SN采用FTO-220AG三引脚的封装，厚度仅4.5mm，结壳热阻θjc最大值为3.55℃/W，总损耗功率最大值仅为35W，有效地提高了能源利用效率。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其静态漏源导通电阻R（DS）ON最大值为28mΩ（ID＝11A,VGS＝10V），拥有较低的损耗。
图三：P22F10SN电容特性曲线
P22F10SN的主要特点：
•漏极-源极电压VDSS 为100V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为22A
•FTO-220AG三引脚封装，较好的隔离特性
•10V门级驱动
•正向跨导gfs最小值为7S（ID＝11A，VDS＝10V）
• 可承受单一的雪崩电流IAS达20A，可承受雪崩能量EAS为20mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON最大值仅为28mΩ（ID＝11A，VGS＝10V）
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•结壳热阻θjc最大为3.55℃/W
•器件总损耗功率最大值仅为35W
•总门极电荷Qg典型值为34nC（VDD=80V，VGS=10V，ID=22A）
•导通延迟时间td（on)典型值为8ns，上升时间tr典型值为17ns，关断延迟时间td（off)典型值为25ns，下降时间tf典型值为6ns（ID=11A，RL=4.55Ω，VDD=50V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零门极电压漏极电流IDSS最大仅为1uA（VDS=100V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
•反向传输电容Crss典型值仅为75pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）
P22F10SN的主要应用：
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•DC-DC转换器
•电源管理
技术顾问：惠惠
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