【产品】具集成式同步自举电路的氮化镓功率晶体管，输入电压范围0V~60V!

时间： 2018-03-13 来源：EPC（世强编辑整理） 作者：天涯狙击客

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利用在硅（Si）晶元上生长的高质量GaN材料与过去60年所积累的标准CMOS工艺，宜普电源转换公司（EPC）取得了氮化镓（GaN）功率晶体管行业的领导地位。EPC公司最新推出了一款半桥式增强型氮化镓功率晶体管—EPC2108。与其他半桥式功率晶体管相比，EPC2108集成了一个同步自举电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

EPC2108的Q1和Q2漏源电压V_DS最大值均为60V（连续），连续漏极电流最大值为1.7A，可承受较大的输入电压与最大不超过5.5A的脉冲电流。其栅极驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃ 。外次，EPC2108的同步自举电路可承受最大100V的电压与0.5A的电流（连续），可广泛应用于高频DC-DC电源转换、D类音频放大器和无线电源（高度谐振及电感式）等方面。

EPC2108的栅极门槛电压为1.6V（典型值），同步自举电路的栅极门槛电压为1.7V（典型值），可在较小的驱动电压下获得较大的电流。EPC2108的输入/输出电容较小仅为26pF/12pF（典型值），反向恢复电荷为零，漏源导通电阻小于240mΩ，有着较低的传输损耗与零反向恢复损耗。同时其栅源反向泄漏电流小于0.05mA（典型值），确保了EPC2108有着较高的能量效率。

EPC2108采用符合RoHS无卤素标准的小尺寸晶片封装，封装尺寸1.35mm×1.35mm，占板面积更小可实现更高功率密度的电源转换。

图1. EPC2108产品示意图

EPC2108产品特性：

• 漏源电压V_DS最大值均为60V（连续）

• 栅极门槛电压为1.6V（典型值）

• 连续漏极电流最大值为1.7A

• 工作温度范围-40℃~150℃

• 自举电路输入电压范围0V~100V

• 自举电路栅极门槛电压为1.7V（典型值）

• 开关频率快

• 能量效率高

• 占板面积更小

• 封装尺寸1.35mm×1.35mm

• 符合RoHS、无卤素

EPC2108的应用领域：

• 高频DC-DC电源转换

• D类音频放大器

• 无线电源（高度谐振及电感式）

技术顾问：启明星

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全部评论（5）

红土地 Lv7. 资深专家 2018-11-16

不错
大周 Lv5. 技术专家 2018-11-16

不错，学习一下
terrydl Lv9. 科学家 2018-08-13

看看
辛巴 Lv8. 研究员 2018-04-16

真的不错
用户18396822 Lv8 2018-04-13

学习了

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【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%

EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V（连续），驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。

2018-03-16 - 新产品代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）

描述- 本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。

型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2017年07月13日 - EPC - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。

产品型号	品类	最大耐压（V）	持续电流(A)	导通阻抗(mΩ)	导通电荷(nC)	峰值电流(A)	封装（mm)
EPC2040	Enhancement Mode Power Transistor	15V	3.4A	30mΩ	0.745nC	28A	BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表 - EPC 立即选型

EPC Half-Bridge Development Boards 选型表

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

选型表 - EPC 立即选型

EPC（宜普）通过GaN晶体管实现包络跟踪

描述- 本文探讨了使用氮化镓（GaN）晶体管实现包络跟踪（ET）技术，以提高功率放大器（PA）的效率。文章介绍了ET技术的优势，如降低峰值平均功率比（PAPR）和提高效率。此外，文章详细介绍了eGaN® FET在ET应用中的性能，包括开关频率、损耗和布局设计。最后，文章展望了eGaN® FET技术的未来发展方向。

型号- EPC8009,EPC8008,EPC8010,EPC8003,EPC8002,EPC8007,EPC8005,EPC8004

2017年08月29日 - EPC - 培训文档-商品应用及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

EPC eGaN FETs and ICs 选型表

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

选型表 - EPC 立即选型

EPC（宜普）GaN晶体管商品介绍

描述- 本文探讨了GaN晶体管在元器件行业中的应用和发展。内容涵盖了GaN晶体管的技术进步、可靠性测试、效率提升以及其在不同领域的应用。文章重点介绍了EPC公司GaN晶体管的产品线，包括不同代际的产品和其在硬开关降压转换器、无线充电、 envelope tracking等领域的应用。此外，文章还讨论了GaN技术对摩尔定律的复兴和半导体市场的影响。

型号- EPC2016,EPC2015,EPC2019,EPC2001

2017年08月25日 - EPC - 培训文档-商品应用及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）氮化镓功率晶体管的基础应用笔记（中文版）

描述- 本文介绍了氮化镓功率晶体管的基础知识，包括其性能、可靠性、管控性和成本效益。文章重点介绍了宜普电源转换公司的氮化镓晶体管产品，其具有高导电性、极快开关和与硅器件相似的制造成本。文章详细解释了氮化镓晶体管的工作原理、结构特点以及与硅MOSFET的比较，强调了其在高频、低负载周期功率转换方面的优势。此外，文章还讨论了氮化镓晶体管在音频放大器、信息处理和储存系统等领域的应用价值。

型号- EPC1001,EPC1010

2017年07月12日 - EPC - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务