【产品】具集成式同步自举电路的氮化镓功率晶体管，输入电压范围0V~60V!

时间： 2018-03-13 来源：EPC（世强编辑整理） 作者：天涯狙击客

技术问答

利用在硅（Si）晶元上生长的高质量GaN材料与过去60年所积累的标准CMOS工艺，宜普电源转换公司（EPC）取得了氮化镓（GaN）功率晶体管行业的领导地位。EPC公司最新推出了一款半桥式增强型氮化镓功率晶体管—EPC2108。与其他半桥式功率晶体管相比，EPC2108集成了一个同步自举电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

EPC2108的Q1和Q2漏源电压V_DS最大值均为60V（连续），连续漏极电流最大值为1.7A，可承受较大的输入电压与最大不超过5.5A的脉冲电流。其栅极驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃ 。外次，EPC2108的同步自举电路可承受最大100V的电压与0.5A的电流（连续），可广泛应用于高频DC-DC电源转换、D类音频放大器和无线电源（高度谐振及电感式）等方面。

EPC2108的栅极门槛电压为1.6V（典型值），同步自举电路的栅极门槛电压为1.7V（典型值），可在较小的驱动电压下获得较大的电流。EPC2108的输入/输出电容较小仅为26pF/12pF（典型值），反向恢复电荷为零，漏源导通电阻小于240mΩ，有着较低的传输损耗与零反向恢复损耗。同时其栅源反向泄漏电流小于0.05mA（典型值），确保了EPC2108有着较高的能量效率。

EPC2108采用符合RoHS无卤素标准的小尺寸晶片封装，封装尺寸1.35mm×1.35mm，占板面积更小可实现更高功率密度的电源转换。

图1. EPC2108产品示意图

EPC2108产品特性：

• 漏源电压V_DS最大值均为60V（连续）

• 栅极门槛电压为1.6V（典型值）

• 连续漏极电流最大值为1.7A

• 工作温度范围-40℃~150℃

• 自举电路输入电压范围0V~100V

• 自举电路栅极门槛电压为1.7V（典型值）

• 开关频率快

• 能量效率高

• 占板面积更小

• 封装尺寸1.35mm×1.35mm

• 符合RoHS、无卤素

EPC2108的应用领域：

• 高频DC-DC电源转换

• D类音频放大器

• 无线电源（高度谐振及电感式）

技术顾问：启明星

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全部评论（5）

红土地 Lv7. 资深专家 2018-11-16

不错
大周 Lv5. 技术专家 2018-11-16

不错，学习一下
terrydl Lv9. 科学家 2018-08-13

看看
辛巴 Lv8. 研究员 2018-04-16

真的不错
用户18396822 Lv8 2018-04-13

学习了

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