【产品】具集成式同步自举电路的氮化镓功率晶体管,输入电压范围0V~60V!
利用在硅(Si)晶元上生长的高质量GaN材料与过去60年所积累的标准CMOS工艺,宜普电源转换公司(EPC)取得了氮化镓(GaN)功率晶体管行业的领导地位。EPC公司最新推出了一款半桥式增强型氮化镓功率晶体管—EPC2108。与其他半桥式功率晶体管相比,EPC2108集成了一个同步自举电路,利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。
EPC2108的Q1和Q2漏源电压VDS最大值均为60V(连续),连续漏极电流最大值为1.7A,可承受较大的输入电压与最大不超过5.5A的脉冲电流。 其栅极驱动电压范围-4V~6V,工作温度范围-40℃~150℃ 。外次,EPC2108的同步自举电路可承受最大100V的电压与0.5A的电流(连续), 可广泛应用于高频DC-DC电源转换、D类音频放大器 和无线电源(高度谐振及电感式)等方面。
EPC2108的栅极门槛电压为1.6V(典型值),同步自举电路的栅极门槛电压为1.7V(典型值),可在较小的驱动电压下获得较大的电流。EPC2108的输入/输出电容较小仅为26pF/12pF(典型值),反向恢复电荷为零,漏源导通电阻小于240mΩ, 有着较低的传输损耗与零反向恢复损耗。同时其栅源反向泄漏电流小于0.05mA(典型值),确保了EPC2108有着 较高的能量效率。
EPC2108采用符合RoHS无卤素标准的小尺寸晶片封装,封装尺寸1.35mm×1.35mm,占板面积更小可实现更高功率密度的电源转换。
图1. EPC2108产品示意图
EPC2108产品特性:
• 漏源电压VDS最大值均为60V(连续)
• 栅极门槛电压为1.6V(典型值)
• 连续漏极电流最大值为1.7A
• 工作温度范围-40℃~150℃
• 自举电路输入电压范围0V~100V
• 自举电路栅极门槛电压为1.7V(典型值)
• 开关频率快
• 能量效率高
• 占板面积更小
• 封装尺寸1.35mm×1.35mm
• 符合RoHS、无卤素
EPC2108的应用领域:
• 高频DC-DC电源转换
• D类音频放大器
• 无线电源(高度谐振及电感式)
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红土地 Lv7. 资深专家 2018-11-16不错
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大周 Lv5. 技术专家 2018-11-16不错,学习一下
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terrydl Lv9. 科学家 2018-08-13看看
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辛巴 Lv8. 研究员 2018-04-16真的不错
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用户18396822 Lv8 2018-04-13学习了
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EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
|
QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
|
Development Board
|
EPC2040
|
eGaN FETs and Ics
|
Active
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
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0.42
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0
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86
|
67
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20
|
3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
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产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
|
28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
|
选型表 - EPC 立即选型
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
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品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
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最小起订量: 1000套 提交需求>
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