【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计
场效应管并联应用时,不同的RDS(ON)可导致场效应管的漏极电流有所差异。最极端的情况下是某一个场效应管承受了绝大部分的总电流,而并联的其它的场效应管承载极小的总电流,继而导致管子损坏的情况。因此场效应晶体管并联应用,器件均流度非常重要。
场效应晶体管的均流度是通过RDS(ON)是进行自我调控的,主要有正温度特性和负温度特性两种调控方式。正温度特性的RDS(ON)随着温度的增加而增加,负温度特性则相反。并联应用中RDS(ON)为正温度特性时,温度越高的器件,场效应晶体管承载的电流负载就会减小,这样温度就会降低,最终达到并联的多管温度和电流均衡的状态(图1所示,温度差异1.3℃,均衡度98.6%【1.3/(93+91.7)/2】)。而负温度系数特性场效应晶体管并联应用刚好相反,某个管子温度越高,RDS(ON)越小,该管承受的载流子就越大。负温度特性并联的其它管子的温度就更低,RDS(ON)相对更大,载流子就更小,这样并联管子均衡度差,损坏风险高。
图1:不同内阻的正温度系数的场效应晶体管并联温度差异测试
电路设计上,基于空间布局、现有市场的器件规格限制、性价比等因数,并联是设计应用的普遍现象。例如,EPC2016C的氮化镓产品电流等级是18A,当应用场合需求是50A时,采用EPC2016C就必须并联3个以上才能满足电路设计需求。EPC2016C的RDS(ON)静态特性(图1)是12mΩ~16mΩ,并联应用时,RDS(ON)的温度特性决定了器件并联应用的稳定性。
图2:EPC2016C静态特性
EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数。该曲线信息主要通过规格书的"Tj温度与导通电阻RDS(ON)的关系曲线"获取。由图2关系曲线可以看出EPC2016C的RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。
图3:EPC2016C的Tj温度与导通电阻RDS(ON)的关系
世强元件电商版权所有,转载请注明来源及链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
相关推荐
【应用】纳秒级开关速度氮化镓场效应晶体管,适合开关频率10MHz以上的应用
EPC8000系列具备了氮化镓晶体管的超高速切换能力,将EPC第三代eGaN FET技术引入了新的水平,这些器件的开关转换速度在纳秒级,能够应用于10 MHz以上的硬开关拓扑中。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关
激光雷达(LiDAR)是一种远距感测技术,从感测器发射光脉冲,并记录反射光线的时间,从而映射物件的位置及距离,本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关,应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统(ADAS)。
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124
EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
【选型】氮化镓场效应晶体管EPC2045用于多线激光雷达,脉冲电流130A,耐压100V
某客户在研制一款多线激光雷达,需要用到一款效应晶体管,要求高频率,耐压可达100V ,脉冲电流至少120A。依据客户要求,我们推荐了EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2045,脉冲电流可达130A,耐压可达100V,RDS典型值5.6mΩ。
【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达,具备小封装,开关频率可达100MHz
某用户想研制一款多线激光雷达,主要应用于交通领域,想找一款效应晶体管用来驱动激光器,经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221,它具备小封装,尺寸仅为1.35x1.35mm,开关频率可达100MHz。
EPC在线建模工具库:氮化镓场效应晶体管热计算器,可快速评估氮化镓器件热管理策略的有效性
EPC的GaN FET热计算器,根据输入设定和计算模型可以得到每个工作器件和环境温度的变化并生成详细报告,其器件模型库允许进行添加和改进,能够有效帮助工程师更好的设计、评估和优化电路板。本文介绍了有关GaN FET热计算器的功能和应用价值。
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
现货: 2,357
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥10.5122
现货: 1,670
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.4342
现货: 485
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.9121
现货: 465
现货市场
服务
可定制导热胶的导热系数1~6W、粘度范围3000~250000cps、固化方式可加热、仅室温、可UV;施胶方式:点胶机、手工、喷胶、转印;支持颜色、硬度、固化时间等参数的个性化定制。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制烧结NdFeB磁铁的剩磁最高1.45T,易加工成各种尺寸。充磁方向:径向充磁、轴向充磁、辐射充磁等;镀层:Zn、Sn、Ni、电泳等,最高工作温度220℃。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论