【产品】SiC MOSFET——高速低功耗应用的理想选择

时间： 2018-03-15 来源：WOLFSPEED（世强编辑整理） 作者：Kate

提高电力电子逆变系统功率密度边界的三个关键因素是提高开关频率、提高效率和优化热管理。WOLFSPEED公司的碳化硅（SiC）场效应管（MOSFET）是高速的多数载流子器件，与硅IGBT和超级结MOSFET相比具有更低的导通/关断损耗。在硬开关变换器/逆变器中，这种优势使得设计者能够在相同的开关频率中获得较高的效率，或者以相同的净损耗较获得高的开关频率。用碳化硅MOSFET制成的功率转换器，由于其较高的阻断电压，较低的导通电阻和较高的热导率，与硅制成的转换器相比，功率密度更高。

简而言之，碳化硅（SiC）在更高的电压下优于硅（Si）。由于材料性能的差异，SiC可以用于使单极肖特基二极管的电压被限制在双极型器件中。这些单极器件具有较低的开关损耗，从而可以构成比硅二极管更有效的功率转换系统。

SiC器件最大优点之一是它为使用SiC提供了极好的途径。选择一个SiC器件作为Si PIN的直接替代品，可以直接提高效率，降低工作温度，而无需额外的系统修改。愿意重新围绕SiC器件系统设计的工程师可以利用更高的频率和温度功能来创建比Si双极型器件更小，更快，更低成本的系统。

图1：产品图片

图2： wolfspeed SiC MOSFET分立器件参数表

图3：wolfspeed SiC MOSFET裸片参数表

图4：SiC vs. IGBT开关损耗图示

图5： SiC vs. IGBT传导损耗

Wolfspeed公司推出的SiC MOSFET的一大特点就是具有更低的开关损耗，这是是wolfspeed革命性的碳化硅技术的结果。本文图4是SiC和IGBT开关损耗的对比图示，可以看出器件具有低开关损耗的特性。

本文图5则是SiC MOSFET和IGBT传导损耗的对比图，在大多数应用程序的正常工作点，IGBT的曲线更像PIN二极管，而MOSFET更像一个真正的电阻器。这就使得SiC MOSFET实际应用中的导通损耗较低。

产品特性：

· 坚固可靠

· 低电容高速开关

· 阻断电压高且导通电阻低

· 具有低反向恢复的快速本征二极管

产品优势：

· 提高系统可靠性，同时减小体积、重量和成本

· 实现更高的系统效率

· 降低冷却要求

· 实现新的拓扑

· 高温和高频操作

· 几乎为0的开关损耗

· 较高的抗浪涌能力

产品应用：

· 可再生能源

· 电动汽车电池充电器

· 高电压DC / DC转换器

· 开关模式电源

技术顾问：采蘑菇的小红帽

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 10
| 转发至：

本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！

全部评论（10）

LouBing Lv7. 资深专家 2018-09-01

好东西，学习了
幸福 Lv7. 资深专家 2018-09-01

不错
Ranger Lv8. 研究员 2018-08-27

学习了
yingqiming Lv7. 资深专家 2018-08-27

不错
hamble Lv3. 高级工程师 2018-08-22

到

阿丹 Lv6. 高级专家 2018-08-20

点赞
酷乐 Lv7. 资深专家 2018-08-16

学习
一头笨牛 Lv8. 研究员 2018-08-01

学习
辛巴 Lv8. 研究员 2018-05-28

收藏
加油小陈 Lv8. 研究员 2018-05-18

收藏

没有更多评论了

可实现能量最优转换的IGBT功率模块

尺寸为82mmx59mmx16mmMiniSKiiP 3 功率模块，适用于工业驱动及嵌入式驱动等领域。受到工程师的一致好评！

2016-08-17 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】600V，20A碳化硅快速恢复肖特基二极管助力高频应用

新电元公司推出的一款碳化硅肖特基二极管S20SC60WV，正向导通电压最大值仅为1.9V，最大反向电流为0.1mA，具备快速恢复能力。

2018-03-12 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】高度仅1.1mm的10A高功率密度二极管满足汽车电子小型化设计

D10FY15ST采用TO-227A封装，有良好的高、低温特性，具有0.3mm厚的铅层，适用于汽车电子产品中。

2017-08-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务

不带铜底板IGBT功率模块的散热设计

不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势，本文通过大量仿真及实验数据，介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。

2016-04-15 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

智能功率模块（IPM）与七单元（PIM）有什么不同？

七单元(PIM)是通常是指集成了整流和逆变单元的功率模块；IPM是指智能功率模块，它不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还内藏有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。

2017-10-10 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

罗姆携碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体亮相2024 PCIM Asia，并分享最新功率电子技术成果

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（展位号：11号馆D14）。展会上，罗姆聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。

2024-09-07 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）

描述- 本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。

型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2017年07月13日 - EPC - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

高饱和低电阻、大功率，应用于VCR STB，助力PC通信设备DC/DC转换器等电源

描述- ABC-ATEC Electronics Group，成立于1979年，专注于高饱和低电阻、大功率元器件的研发与生产。公司产品广泛应用于VCR、STB、PC通信设备等，拥有台湾和海外AEPP（专属生产伙伴厂）员工共2758人。公司产品线包括绕线式晶片电感、大电流电源电感、以太网络滤波器、散热片等，并持续进行产品改良和研发，如低背型电感器、高频电感器、大电流电感器等。

型号- HC0610,DH,TPC,HDC,HP,TPI,SB,DP4020,SF,MB,SH,SL,SN,HE1145-E,PWC,SQ,SWI0201,SR,CB,CC,SS,AQF0735,SU,DP2012,SWI,ESR,DP2016,AQF1265,CM,DP TYPE,CIP,ASF4532-R,CS,RB,RC,CU,HE0735-E,RH,ASF4532-E,HE0945-E,ASF4532-F,RN,HC0510,HC0410,HC0310,AQF0945

千如电子 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务