【产品】反向恢复损耗均为零，具有高开关频率及高效率增强型功率晶体管
硅功率器件发展至今已接近其性能极限,难以满足开关电源高频、高效率、高功率密度的需求。氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、寄生参数小、电气参数优越而受到广泛关注。
氮化镓（GaN）功率管理技术的领导供应商宜普电源转换公司（EPC）推出了最新系列GaN功率晶体管—EPC2014与EPC2014C，两者的漏源电压VDS最大值均为40V（连续），连续漏极电流最大值均为10A(TA = 25˚C,θJA = 43)，栅极驱动电压范围分别为-5V~6V与-4V~6V， 工作温度范围-40℃~150℃。此外，EPC2014C可以承受最大不超过60A的脉冲电流(25˚C, TPULSE = 300 µs)。
EPC2014与EPC2014C的源漏正向电压分别为1.3V与1.8V ，可在较小的驱动电压下获得较大的电流。在VDS = 32 V, VGS = 0 V的条件下，其漏源泄漏电流均为50μA（典型值）， 可提高系统整体效率。EPC2014与EPC2014C的输入/输出电容分别为300pF/150pF与220pF/150pF（典型值），源漏导通电阻仅为12mΩ（典型值） ，且反向恢复损耗均为零，保证了其具有更低的开关损耗与更高的开关频率，可广泛应用于高速直流－直流转换、高频硬开关及软开关技术与D类音频放大器等方面。
EPC2014与EPC2014C均采用符合RoHS无卤素标准的小尺寸晶片封装，封装尺寸1.7mm×1.1mm，占板面积更小可实现更高功率密度的电源转换。
图1. EPC2014与EPC2014C产品示意图
EPC2014与EPC2014C产品特性：
• 漏源电压VDS最大值均为40V（连续）
• 栅极驱动电压范围-5V~6V（EPC2014），-4V~6V（EPC2014C）
• 工作温度范围-40℃~150℃
• 连续漏极电流最大值均为10A(TA = 25˚C,θJA = 43)
• 开关频率快
• 能量效率高
• 占板面积更小
• 封装尺寸1.7mm×1.1mm
• 符合RoHS、无卤素
EPC2014与EPC2014C的应用领域：
• 高速直流－直流转换
• 高频硬开关及软开关技术
• D类音频放大器
• 脉冲电流应用
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痕迹 Lv5. 技术专家 2018-11-22支持，学习 -
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用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-21不错 -
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用户37551551 Lv7. 资深专家 2018-11-21学校了， -
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吊个天 Lv7. 资深专家 2018-11-19反向恢复损耗均为零？？？真的假的 -
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龙族队长 Lv7. 资深专家 2018-11-17支持学习 -
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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-08-14学习了 -
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用户18396822 Lv8 2018-06-04学习了
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选型表 - EPC 立即选型
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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CISS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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BGA 0.85 x 1.2
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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选型表 - EPC 立即选型
【白皮书】EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管FET电气特性（WP007）
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性，并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同，是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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选型表 - EPC 立即选型
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