【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管,能量效率最高可达90%

2018-03-16 EPC(世强编辑整理) 天涯狙击客
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氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、寄生参数小、电气参数优越而受到广泛关注。氮化镓(GaN)功率管理技术的领导供应商宜普电源转换公司(EPC)最近推出了一款GaN功率晶体管—EPC2100,其漏源电压VDS最大值为30V(连续),栅极驱动电压范围-4V~6V, 工作温度范围-40℃~150℃。与原有型号相比,EPC2100采用新型半桥拓扑结构,其中Q1最大漏极连续电流10A并可施加小于100A的脉冲电流,Q2最大漏极连续电流为40A并可施加小于400A的脉冲电流, 可广泛应用于高频DC-DC电源转换和负载点(POL)转换器等方面。 


EPC2100的栅极门槛电压范围为0.8V~2.5V,漏源导通电阻仅为7.5mΩ(Q1为6mΩ,Q2为1.5mΩ),与硅功率器相比可在较小的驱动电压下获得较大的电流。同时,由于采用了半桥拓扑结构以减少系统的EMI问题, EPC2100的能量效率最高可达90% 。值得一提的是,EPC2100还具有较高的开关频率,由于Q1与Q2的输入/输出电容分别为0.395nF/0.29nF与1.63nF/1.37nF ,并且反向恢复电荷基本为零,使其最大工作频率超过10MHz。 


在封装封面,EPC2100采用低感应系数的多管脚晶片封装方式,符合RoHS与无卤素标准。封装尺寸6.05mm×2.3mm,管脚行间距0.45mm,管脚列间距0.4mm。


 

图1. EPC2100产品示意图


EPC2100产品特性:

漏源电压VDS最大值均为30V(连续)

栅极驱动电压范围-4V~6V

工作温度范围-40℃~150℃

采用半桥拓扑结构

能量效率最高可达90%

最大漏极连续电流:10A(Q1),40A(Q2)

封装尺寸6.05mm×2.3mm

符合RoHS、无卤素


EPC2100的应用领域:

高频DC-DC电源转换

负载点(POL)转换器


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  • 我心永恒 Lv6. 高级专家 2018-11-22
    有耐压值高一点的吗?
  • Yangwang Lv7. 资深专家 2018-11-22
    不错
  • 30787 Lv7. 资深专家 2018-11-20
    学习一下
  • EmmaChen Lv6. 高级专家 2018-11-17
    学习下
  • Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-09-20
    学习
  • 人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-18
    好东西!
  • 用户85019209 Lv3. 高级工程师 2018-07-17
    不错,学习了
  • 用户18396822 Lv8 2018-05-09
    很好
  • Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-04-13
    好东西
  • 辛巴 Lv8. 研究员 2018-03-17
    学习一下
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
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产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

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