【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管,能量效率最高可达90%
氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、寄生参数小、电气参数优越而受到广泛关注。氮化镓(GaN)功率管理技术的领导供应商宜普电源转换公司(EPC)最近推出了一款GaN功率晶体管—EPC2100,其漏源电压VDS最大值为30V(连续),栅极驱动电压范围-4V~6V, 工作温度范围-40℃~150℃。与原有型号相比,EPC2100采用新型半桥拓扑结构,其中Q1最大漏极连续电流10A并可施加小于100A的脉冲电流,Q2最大漏极连续电流为40A并可施加小于400A的脉冲电流, 可广泛应用于高频DC-DC电源转换和负载点(POL)转换器等方面。
EPC2100的栅极门槛电压范围为0.8V~2.5V,漏源导通电阻仅为7.5mΩ(Q1为6mΩ,Q2为1.5mΩ),与硅功率器相比可在较小的驱动电压下获得较大的电流。同时,由于采用了半桥拓扑结构以减少系统的EMI问题, EPC2100的能量效率最高可达90% 。值得一提的是,EPC2100还具有较高的开关频率,由于Q1与Q2的输入/输出电容分别为0.395nF/0.29nF与1.63nF/1.37nF ,并且反向恢复电荷基本为零,使其最大工作频率超过10MHz。
在封装封面,EPC2100采用低感应系数的多管脚晶片封装方式,符合RoHS与无卤素标准。封装尺寸6.05mm×2.3mm,管脚行间距0.45mm,管脚列间距0.4mm。
图1. EPC2100产品示意图
EPC2100产品特性:
•漏源电压VDS最大值均为30V(连续)
• 栅极驱动电压范围-4V~6V
• 工作温度范围-40℃~150℃
• 采用半桥拓扑结构
• 能量效率最高可达90%
• 最大漏极连续电流:10A(Q1),40A(Q2)
• 封装尺寸6.05mm×2.3mm
• 符合RoHS、无卤素
EPC2100的应用领域:
• 高频DC-DC电源转换
• 负载点(POL)转换器
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我心永恒 Lv6. 高级专家 2018-11-22有耐压值高一点的吗?
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Yangwang Lv7. 资深专家 2018-11-22不错
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30787 Lv7. 资深专家 2018-11-20学习一下
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Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-09-20学习
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人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-18好东西!
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用户18396822 Lv8 2018-05-09很好
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Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-04-13好东西
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辛巴 Lv8. 研究员 2018-03-17学习一下
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
|
6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)通过GaN晶体管实现包络跟踪
描述- 本文探讨了使用氮化镓(GaN)晶体管实现包络跟踪(ET)技术,以提高功率放大器(PA)的效率。文章介绍了ET技术的优势,如降低峰值平均功率比(PAPR)和提高效率。此外,文章详细介绍了eGaN® FET在ET应用中的性能,包括开关频率、损耗和布局设计。最后,文章展望了eGaN® FET技术的未来发展方向。
型号- EPC8009,EPC8008,EPC8010,EPC8003,EPC8002,EPC8007,EPC8005,EPC8004
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)GaN晶体管商品介绍
描述- 本文探讨了GaN晶体管在元器件行业中的应用和发展。内容涵盖了GaN晶体管的技术进步、可靠性测试、效率提升以及其在不同领域的应用。文章重点介绍了EPC公司GaN晶体管的产品线,包括不同代际的产品和其在硬开关降压转换器、无线充电、 envelope tracking等领域的应用。此外,文章还讨论了GaN技术对摩尔定律的复兴和半导体市场的影响。
型号- EPC2016,EPC2015,EPC2019,EPC2001
EPC(宜普)氮化镓功率晶体管的基础应用笔记(中文版)
描述- 本文介绍了氮化镓功率晶体管的基础知识,包括其性能、可靠性、管控性和成本效益。文章重点介绍了宜普电源转换公司的氮化镓晶体管产品,其具有高导电性、极快开关和与硅器件相似的制造成本。文章详细解释了氮化镓晶体管的工作原理、结构特点以及与硅MOSFET的比较,强调了其在高频、低负载周期功率转换方面的优势。此外,文章还讨论了氮化镓晶体管在音频放大器、信息处理和储存系统等领域的应用价值。
型号- EPC1001,EPC1010
EPC9126开发板 物料清单
描述- 该资料为EPC9126元器件的物料清单(BOM),详细列出了该元器件的各个组成部分、数量、参考编号、描述和制造商零件编号。包括电容、二极管、激光二极管、磁珠、连接器、电阻、晶体管、比较器和门驱动器等。
型号- EPC9126
EPC9054开发板 物料清单
描述- 该资料为EPC9054元器件的物料清单(BOM),详细列出了该元器件所需的各个部件及其规格、品牌和型号。包括电容、二极管、连接器、电阻、晶体管、驱动器和集成电路等。部分部件型号待定,如L10、L20、L11、L21、Le11、Le21、Le12、Le22等。
型号- EPC9054
EPC9053开发板 物料清单
描述- 该资料为EPC9053元器件的物料清单(BOM),包含22个不同元器件的详细信息,包括描述、数量、制造商、型号和参考编号。涵盖了电容、二极管、连接器、电阻、电感、晶体管和集成电路等多种类型。部分元器件型号为待定(TBD),如L10、L20等。
型号- EPC9053
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.0520
现货: 322
服务
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
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