【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%
氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、寄生参数小、电气参数优越而受到广泛关注。氮化镓（GaN）功率管理技术的领导供应商宜普电源转换公司（EPC）最近推出了一款GaN功率晶体管—EPC2100，其漏源电压VDS最大值为30V（连续），栅极驱动电压范围-4V~6V， 工作温度范围-40℃~150℃。与原有型号相比，EPC2100采用新型半桥拓扑结构,其中Q1最大漏极连续电流10A并可施加小于100A的脉冲电流，Q2最大漏极连续电流为40A并可施加小于400A的脉冲电流， 可广泛应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。
EPC2100的栅极门槛电压范围为0.8V~2.5V，漏源导通电阻仅为7.5mΩ（Q1为6mΩ，Q2为1.5mΩ），与硅功率器相比可在较小的驱动电压下获得较大的电流。同时，由于采用了半桥拓扑结构以减少系统的EMI问题， EPC2100的能量效率最高可达90% 。值得一提的是，EPC2100还具有较高的开关频率，由于Q1与Q2的输入/输出电容分别为0.395nF/0.29nF与1.63nF/1.37nF ，并且反向恢复电荷基本为零，使其最大工作频率超过10MHz。
在封装封面，EPC2100采用低感应系数的多管脚晶片封装方式，符合RoHS与无卤素标准。封装尺寸6.05mm×2.3mm，管脚行间距0.45mm，管脚列间距0.4mm。
图1. EPC2100产品示意图
EPC2100产品特性：
•漏源电压VDS最大值均为30V（连续）
• 栅极驱动电压范围-4V~6V
• 工作温度范围-40℃~150℃
• 采用半桥拓扑结构
• 能量效率最高可达90%
• 最大漏极连续电流：10A（Q1），40A（Q2）
• 封装尺寸6.05mm×2.3mm
• 符合RoHS、无卤素
EPC2100的应用领域：
• 高频DC-DC电源转换
• 负载点（POL）转换器
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我心永恒 Lv6. 高级专家 2018-11-22有耐压值高一点的吗？ -
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人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-18好东西！ -
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用户18396822 Lv8 2018-05-09很好 -
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Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-04-13好东西 -
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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选型表 - EPC 立即选型
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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ID (A)
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选型表 - EPC 立即选型
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【白皮书】EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管FET电气特性（WP007）
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性，并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同，是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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VDS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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EPC2040
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选型表 - EPC 立即选型
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.0520
现货： 322
服务
根据用户的蓝牙模块，使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B，测试蓝牙1.0至5.1，包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度，生成测试报告。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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