【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%
氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、寄生参数小、电气参数优越而受到广泛关注。氮化镓（GaN）功率管理技术的领导供应商宜普电源转换公司（EPC）最近推出了一款GaN功率晶体管—EPC2100，其漏源电压VDS最大值为30V（连续），栅极驱动电压范围-4V~6V， 工作温度范围-40℃~150℃。与原有型号相比，EPC2100采用新型半桥拓扑结构,其中Q1最大漏极连续电流10A并可施加小于100A的脉冲电流，Q2最大漏极连续电流为40A并可施加小于400A的脉冲电流， 可广泛应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。
EPC2100的栅极门槛电压范围为0.8V~2.5V，漏源导通电阻仅为7.5mΩ（Q1为6mΩ，Q2为1.5mΩ），与硅功率器相比可在较小的驱动电压下获得较大的电流。同时，由于采用了半桥拓扑结构以减少系统的EMI问题， EPC2100的能量效率最高可达90% 。值得一提的是，EPC2100还具有较高的开关频率，由于Q1与Q2的输入/输出电容分别为0.395nF/0.29nF与1.63nF/1.37nF ，并且反向恢复电荷基本为零，使其最大工作频率超过10MHz。
在封装封面，EPC2100采用低感应系数的多管脚晶片封装方式，符合RoHS与无卤素标准。封装尺寸6.05mm×2.3mm，管脚行间距0.45mm，管脚列间距0.4mm。
图1. EPC2100产品示意图
EPC2100产品特性：
•漏源电压VDS最大值均为30V（连续）
• 栅极驱动电压范围-4V~6V
• 工作温度范围-40℃~150℃
• 采用半桥拓扑结构
• 能量效率最高可达90%
• 最大漏极连续电流：10A（Q1），40A（Q2）
• 封装尺寸6.05mm×2.3mm
• 符合RoHS、无卤素
EPC2100的应用领域：
• 高频DC-DC电源转换
• 负载点（POL）转换器
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我心永恒 Lv6. 高级专家 2018-11-22有耐压值高一点的吗？ -
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人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-18好东西！ -
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用户85019209 Lv3. 高级工程师 2018-07-17不错，学习了 -
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用户18396822 Lv8 2018-05-09很好 -
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Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-04-13好东西 -
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辛巴 Lv8. 研究员 2018-03-17学习一下
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产品型号
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Configuration
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Max RDS(on) (mΩ)
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选型表 - EPC 立即选型
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。
EPC - 转换器,电力电子功率器件,放大器,电力电子功率模块,比较器,EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
【产品】开关频率快，效率高，封装小的GaN增强型功率MOS管
EPC公司的EPC2016C导通电阻RDS(on)最大为16mΩ，栅极电荷Qg最大为4.5nC，反向恢复电荷QRR为0，非常适合高开关频率的设备。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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选型表 - EPC 立即选型
【产品】输入电容仅为14pF的GaN增强型功率MOS管，超高开关速度首选
EPC的EPC2037可实现极高速的开关功能，输入电容低至14pF，输出电容低至6.5pF，反向恢复电容仅为0.1pF，栅极电荷为115pC，尤其适合低功率，高开关频率的应用。
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EPC - 电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC9041,EPC9036,EPC9037,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备
【产品】反向恢复损耗均为零，具有高开关频率及高效率增强型功率晶体管
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EPC（宜普）EPC2110双增强型功率晶体管数据手册
本资料为EPC2110双增强型功率晶体管的初步规格说明书。该产品采用eGaN®技术，具有低导通电阻、高电流承载能力等特点，适用于超高频直流-直流转换、无线电力传输和同步整流等领域。
EPC - 双增强型功率晶体管,DUAL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC2110ENGR,EPC2110,公共安全设备,工业电子,同步整流,无线电源传输,消费电子,ULTRA HIGH FREQUENCY DC-DC CONVERSION,WIRELESS POWER TRANSFER,军工设备,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,汽车电子,超高频DC-DC变换器,通信设备
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电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.0520
现货： 322
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
根据用户的蓝牙模块，使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B，测试蓝牙1.0至5.1，包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度，生成测试报告。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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