【产品】抗辐射加固型100/200V氮化镓场效应管（GaN FET）驱动器解决方案
氮化镓场效应管（GaN FET）非常适合运载火箭及卫星等宇航应用，但需要良好的栅极驱动器配合工作才能充分发挥其潜力。与传统的硅器件相比，由GaN FET和栅极驱动器组合在一起的解决方案能够实现更高效的开关切换、更高的工作频率、更低的栅极驱动电压和更小的尺寸。与硅MOSFET不同，GaN FET不具有栅极氧化层，因此伽马辐射不会在栅极氧化层中形成陷阱（空穴）。GaN是一种宽带隙材料。与硅相比，漏极和源极之间的距离理论上可以减小10倍。GaN FET允许电源设计人员进一步优化其设计，使得整个电源系统具有包括尺寸、重量、效率、EMI以及潜在的更低的电压和更高的环路带宽等设计优势。
RENESAS的子公司Intersil公司最新推出了抗辐射加固型100V和200V氮化镓场效应管（GaN FET）低侧驱动器ISL70040SEH和ISL73040SEH。这两种低侧GaN FET驱动器，采用隔离拓扑结构和增强型配置来驱动增强型GaN FET，可以为铁氧体开关驱动器、电机控制驱动器电路、加热器控制模块、嵌入式指令模块、100V和28V电源调节以及冗余切换系统等设备供电，非常适合用作运载火箭和卫星的初级和次级DC/DC转换器的电源，以及井下钻井和高可靠性的工业应用。
图一： 抗辐射加固型驱动器ISL70040SEH，ISL73040SEH
ISL70040SEH采用4.5V至13.2V的电源电压工作，并同时具有反相（INB）和非反相（IN）输入，以满足单个器件对反相和非反相门极驱动器的要求。ISL70040SEH和ISL73040SEH采用内部稳压器产生4.5V栅极驱动电压（VDRV），该稳压器可防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅源额定值。栅极驱动电压还具有欠压锁定（UVLO）保护特性，当VDRV低于UVLO阈值时，该特性能够滤除输入（IN/INB）并保持OUTL导通，以确保GaN FET处于关断状态。
无论VDD电压如何，ISL70040SEH和ISL73040SEH输入都可承受高达14.7V的电压。这使得ISL70040SEH和ISL73040SEH输入可以直接连接到大多数PWM控制器。ISL70040SEH和ISL73040SEH分离输出采用创新设计，可以通过在开/关路径中增加额外阻抗来独立调节开关速度。
图二：ISL70040SEH和ISL73040SEH典型电路
主要特征
• 宽工作电压范围：4.5V至13.2V
• 高达14.7V的逻辑输入（与VDD电平无关）
• 反相和非反相输入
• 优化以驱动增强型GaN FET
• 内部4.5V稳压栅极驱动电压
• 独立输出，可调整开/关速度
• 完整的军用温度范围操作
• TA = -55℃至+ 125℃
• TJ = -55℃至+ 150℃
• 辐射硬度保证
• 高剂量率（HDR）（50-300rad（Si）/ s）：100krad（Si）（仅限ISL70040SEH）
• 低剂量率（LDR）（0.01rad（Si）/ s）：75krad（Si）
• SEE硬度
• 无SEB/L LETTH，VDD = 14.7V：86MeV•cm2/mg
• 不设置，LETTH，VDD = 13.2V：86MeV•cm2/mg
• 电气屏蔽符合DLA SMD 5962-17233
ISL70040SEH和ISL73040SEH可在-55℃至+125℃的军用温度范围内工作，产品采用8 Ld密封陶瓷SMD表贴封装或裸片形式提供。ISL70040SEH和ISL73040SEH的门驱动电压十分稳定，随供电电压和温度的影响很小，如下图所示为输出驱动电压随供电和温度变化特性图。
图三：输出驱动电压随供电和温度变化特性
典型应用：
•各种反激式和正激式转换器、升压和PFC转换器以及次级同步FET驱动器；
•为铁氧体开关驱动器、电机控制驱动器电路、加热器控制模块、嵌入式指令模块、100V和28V电源调节；
•冗余切换系统等设备供电；
•运载火箭和卫星的初级和次级DC/DC转换器的电源；
•井下钻井和高可靠性的工业应用。
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IC哥 Lv7. 资深专家 2018-10-30不错 -
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人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-30学习了 -
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小z Lv6. 高级专家 2018-06-30不错 -
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YoungKing Lv7. 资深专家 2018-03-27学习了 -
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terrydl Lv9. 科学家 2018-03-16收藏了 -
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TAO Lv7. 资深专家 2018-03-16很不错的介绍
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技术探讨 发布时间 : 2018-01-23
EPC（宜普）面向48V降压转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记 （AB009）
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EPC（宜普）面向48V–12V可调节砖式转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记（ AB007）
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电子商城
现货市场
服务
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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