【应用】栅极电荷低至3.56nc P-MOS助力光模块电源缓启电路设计

时间： 2018-03-05 来源：世强作者：honglei

技术问答

系统上电或对光模块进行插拔操作时可产生浪涌电流，过大的浪涌电流会危及电源及系统的正常工作，有时会导致系统重新复位，为了改进光模块热插拔时电源的输入特性，提高其可靠性，减少对供电电源的污染，必须对浪涌电流加以限制，改善方式是引入光模块的电源缓启动电路，其电路原理参考如下图1所示：

图1：基于P-MOS设计的光模块电源缓启动参考电路

光模块电源缓启动电路是基于P-MOS设计的开关控制电路，包括一充电电容（100nF）和一限流电阻（200KΩ）；其中充电电容的充电端子一方面连接所述P -MOS管的源极，另一方面连接所述电源输入端子（此为光模块的金手指位置）；而充电电容的另一个端子连接所述P-MOS管的栅极，再通过限流电阻（200KΩ）接地； P-MOS管的漏极连接负载输出端子，整体电路设计简单。

基于P-MOS设计的光模块电源缓启动电路优点：

1、P-MOS作为电压控制型器件，电流损耗较小，不用考虑电路耗散。

2、电路简单，功耗小，负载驱动能力强，对容性负载不敏感。

3、适用布线空间较小的应用

目前在市面上光模块电源缓启动电路中使用比较多的是O公司的NTZS3151PT1G 20V/860mA P-MOS，封装为SOT-563，针对此物料，推荐一款可pin to pin兼容的CMLDM8120G TR，为Central Semiconductor推出，具体参数信息参考如下表1所示。

表1：P-MOS管CMLDM8120G TR和NTZS3151PT1G参数对照表

通过如上对照表，不难看出，Central Semiconductor的CMLDM8120G TR性能优势明显：具有更低的栅极电荷（Qg是一个mos管从关断状态到饱和导通状态），更低的输入电容值，更低的最大耗散功率，更宽的操作温度范围等。

最后，总结下CMLDM8120G TR的优势：

1、性能优势：可以参考表1中参数对比中红色标注的部分。

2、货期优势：目前O公司的此物料市场缺货严重，参考货期为：46W 以上，而Central semi的参考货期为：20-24W

3、现货样品：仓库有现货，可以满足客户的样品需求

通过上面的介绍，相信大家对Central semi的CMLDM8120G TR P-MOS管的电性参数及优势有清晰的认知，如果您感兴趣记得收藏和点赞哦，感谢！有问题请留言或电话联系世强400-887-3266。

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天行健 Lv6. 高级专家 2018-03-23

学习了
roland Lv9. 科学家 2018-03-23

学习
TAO Lv7. 资深专家 2018-03-23

学习了
LouBing Lv7. 资深专家 2018-03-23

这个P-Mos不错，收藏了
碧水孤鹜 Lv8. 研究员 2018-03-23

学习

OwenK Lv7. 资深专家 2018-03-05

学习了

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CN1F-LL23A-CX	光模块	0Mb/s~35Mb/s	SM	1X9	1310nm	FP/PIN	-12dBm~-5dBm	20dBm	20Km