【应用】总功耗最大仅为112W的IGBT模块助力400W伺服逆变设计

时间： 2018-03-05 来源：世强作者：honglei

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400W伺服系统主要由主控单元、隔离单元、功率模块单元、电源管理单元、电机单元组成，其电路框图参考如下图1所示。其中占体积最大的是功率模块单元中的IGBT模块，为实现小型化设计，必须要先改善IGBT模块，那么如何选择一款合适的IGBT模块呢？建议如下：

1、以三相220VAC/50Hz交流电输入，选择IGBT规格耐压选600V即可。

2、要求集成度高，集成整流桥、制动、三相桥式逆变

3、要求小尺寸

4、要求总功耗低

图1：400W伺服控制系统电路框图

针对如上需求，这里推荐VINCOTECH推出的flowPIM® 0系列的IGBT模块V23990-P544-A28-PM，该模块集成了一个三相不控整流桥和一个三相桥式逆变器。具体优点如下：

1、 IGBT额定电压为600V，额定电流为15A。

2、集成度高：集成三相整流桥、制动、逆变、温度检测功能

3、满足小尺寸设计：封装尺寸为68.4mm x 32.5mm（高12mm），实物图参考如下图2所示。

4、低功耗：整流桥的最大总损耗仅为59W，逆变器最大总损耗仅为69W，总功耗最大仅为112W。

图2：V23990-P544-A28-PM产品实物图

V23990-P544-A28-PM模块原理图参考如下图3所示，集成整流、制动、逆变、温度检测等功能，设置了合理的管脚位置，使得PCB板容易布线。它的封装尺寸为长68.4mm，宽32.5mm，高12mm，整个集成模块体积较小，可以处理5kW左右的功率。

图3：V23990-P544-A28-PM模块原理图

V23990-P544-A28-PM的产品特性：

• Vincotech clip-in 封装

• IGBT主开关芯片基于infineon IGBT3工艺设计，可适用于开关频率高达100KHz的产品。

• 具有低开关损耗、低导通损耗特性，集成沟槽栅技术和场中止技术，其饱和压降VCE（sat）典型值为1.61V（@Tj=25℃）；1.81V（@Tj=125℃）。

• 具备续流二极管，适用于高速开关，同时可维持较高软度，使产品具备出色的抗电磁干扰能力。

此小型化、高功率密度IGBT模块已经有在成功的使用案例，如果想了解更多的测试波形，可以下载规格书，参考链接为：https://www.sekorm.com/doc/38482.html。如果您感兴趣记得收藏和点赞哦，感谢！有问题请留言或电话联系世强400-887-3266。

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全部评论（3）

人到中年 Lv7. 资深专家 2018-08-09

真不错
海锋 Lv9. 科学家 2018-07-12

真不错
如果天空不死 Lv7. 资深专家 2018-03-14

饱和压降VCE

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
V23990-K429-A40-PM	IGBT功率模块	CIB-KE-NTC	MiniSKiiP® PIM 3	1200	75	IGBT4	MiniSKiiP® 3	16	Al2O3

选型表 - VINCOTECH 立即选型

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产品型号	品类	产品状态	拓扑	电压(V)	电流(A)	模块高度 (mm)	晶圆工艺	封装
10-0B06PPA004RC-L022A09	SiC功率模块	Series production	PIM+PFC(CIP)	600V	4A	17mm	IGBT RC	flow 0B