【产品】表贴封装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管
HCT802系列是TT Electronics(TT)推出的一款6管脚表面贴装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET),触点采用镀金工艺。该系列场效应晶体管的VDS为90V,RDS(on)小于5Ω。其中,N沟道MOS管的ID(on)为1.5A,P沟道MOS管的ID(on)为1.1A。
HCT802系列场效应管在密封的陶瓷表贴封装下提供N沟道和P沟道两种类型MOS晶体管,使用的器件类似于工业标准的2N6661N沟道器件和VP1008P沟道器件。这两种增强类型的金属氧化物半导体场效应管MOSFETS尤其能良好地匹配VDS,IDS(on),RDS(on) and Gfs。
HCT802TX和HCT802TXV型号的金属氧化物半导体场效应管符合MIL-PRF-19500标准,并且满足OPTEK军事筛选程序,可靠性高。其中,HCT7000MTX产品在150℃时,能够获得栅极与源极间持续48小时的 24V高温反向偏压以及漏极与源极间持续260小时的48V高温反向偏压。
图1 HCT802系列参数信息
图2 HCT802系列示意图
HCT802系列的特点(TA=25℃,除非另外说明):
•漏源电压:90V
•栅源电压:±20V
•N沟道漏电流[由Tj最大值限制]:2A
•P沟道漏电流[由Tj最大值限制]:1.1A
•工作及存储温度范围:-55℃~+150℃
•功耗[两颗MOS管同时驱动]:0.5W
•功耗[两颗MOS管同时驱动]:1.5W(仅作设计参考。取决于安装材料和方法,非测试数据)
•漏源击穿电压[ID=10µA,VGS=0]:90V(最小值)
•N沟道栅级开启电压[VGS=VDS,ID=1mA]:0.75V(最小值),2.5V(最大值)
•P沟道栅级开启电压[ID=-1mA]:-2.0V(最小值),-4.5V(最大值)
•栅极漏电流[VGS=±20V,VDS=0]:±100nA(最大值)
•饱和漏电流[VDS=90V,VGS=0]:10µA(最大值)
•饱和漏电流[Tj=150℃]:500µA(最大值)
•N沟道通态漏极电流[VDS=25V,VGS=10V]:1.5A(最小值)
•P沟道通态漏极电流[VDS=-15V,VGS=-10V]:-1.1A(最小值)
•N沟道正向跨导[VDS=25V,ID=0.5A]:170 mmho(最小值)
•P沟道正向跨导[VDS=-10V,ID=-0.5A]:200 mmho(最小值)
•N沟道输入电容[VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz]:70pf(最大值)
•P沟道输入电容[VDS=-25V,VGS=0V,f=1MHz]:150pf(最大值)
•N沟道共源输出电容[VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz]:40pf(最大值)
•P沟道共源输出电容[VDS=-25V,VGS=0V,f=1MHz]:60pf(最大值)
•N沟道反向传输电容[VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz]:10pf(最大值)
•P沟道反向传输电容[VDS=-25V,VGS=0V,f=1MHz]:25pf(最大值)
•N沟道开通时间[VDD=25V,ID=1A,RL=50Ω]:15ns(最大值)
•P沟道开通时间[VDD=-25V,ID=-0.5A,RL=50Ω]:50ns(最大值)
•N沟道关断时间[VDD=25V,ID=1A,RL=50Ω]:17ns(最大值)
•P沟道关断时间[VDD=-25V,ID=-0.5A,RL=50Ω]:50ns(最大值)
HCT802系列的应用:
•驱动器(固态继电器、灯具、螺线管、显示器、存储器等)
•电机控制
•馈电电路
技术顾问:winthony
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