【产品】表贴封装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管
HCT802系列是TT Electronics（TT）推出的一款6管脚表面贴装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），触点采用镀金工艺。该系列场效应晶体管的VDS为90V，RDS(on)小于5Ω。其中，N沟道MOS管的ID(on)为1.5A，P沟道MOS管的ID(on)为1.1A。
HCT802系列场效应管在密封的陶瓷表贴封装下提供N沟道和P沟道两种类型MOS晶体管，使用的器件类似于工业标准的2N6661N沟道器件和VP1008P沟道器件。这两种增强类型的金属氧化物半导体场效应管MOSFETS尤其能良好地匹配VDS,IDS(on),RDS(on) and Gfs。
HCT802TX和HCT802TXV型号的金属氧化物半导体场效应管符合MIL-PRF-19500标准，并且满足OPTEK军事筛选程序，可靠性高。其中，HCT7000MTX产品在150℃时，能够获得栅极与源极间持续48小时的 24V高温反向偏压以及漏极与源极间持续260小时的48V高温反向偏压。
图1 HCT802系列参数信息
图2 HCT802系列示意图
HCT802系列的特点（TA=25℃，除非另外说明）：
•漏源电压：90V
•栅源电压：±20V
•N沟道漏电流[由Tj最大值限制]：2A
•P沟道漏电流[由Tj最大值限制]：1.1A
•工作及存储温度范围：-55℃~+150℃
•功耗[两颗MOS管同时驱动]：0.5W
•功耗[两颗MOS管同时驱动]：1.5W（仅作设计参考。取决于安装材料和方法，非测试数据）
•漏源击穿电压[ID=10µA，VGS=0]：90V（最小值）
•N沟道栅级开启电压[VGS=VDS，ID=1mA]：0.75V（最小值），2.5V（最大值）
•P沟道栅级开启电压[ID=-1mA]：-2.0V（最小值），-4.5V（最大值）
•栅极漏电流[VGS=±20V，VDS=0]：±100nA（最大值）
•饱和漏电流[VDS=90V，VGS=0]：10µA（最大值）
•饱和漏电流[Tj=150℃]：500µA（最大值）
•N沟道通态漏极电流[VDS=25V，VGS=10V]：1.5A（最小值）
•P沟道通态漏极电流[VDS=-15V，VGS=-10V]：-1.1A（最小值）
•N沟道正向跨导[VDS=25V，ID=0.5A]：170 mmho（最小值）
•P沟道正向跨导[VDS=-10V，ID=-0.5A]：200 mmho（最小值）
•N沟道输入电容[VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz]：70pf（最大值）
•P沟道输入电容[VDS=-25V，VGS=0V，f=1MHz]：150pf（最大值）
•N沟道共源输出电容[VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz]：40pf（最大值）
•P沟道共源输出电容[VDS=-25V，VGS=0V，f=1MHz]：60pf（最大值）
•N沟道反向传输电容[VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz]：10pf（最大值）
•P沟道反向传输电容[VDS=-25V，VGS=0V，f=1MHz]：25pf（最大值）
•N沟道开通时间[VDD=25V，ID=1A，RL=50Ω]：15ns（最大值）
•P沟道开通时间[VDD=-25V，ID=-0.5A，RL=50Ω]：50ns（最大值）
•N沟道关断时间[VDD=25V，ID=1A，RL=50Ω]：17ns（最大值）
•P沟道关断时间[VDD=-25V，ID=-0.5A，RL=50Ω]：50ns（最大值）
HCT802系列的应用：
•驱动器（固态继电器、灯具、螺线管、显示器、存储器等）
•电机控制
•馈电电路
技术顾问：winthony
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品牌：TT Electronics
品类：Long Distance Reflective Switch
价格：￥41.6779
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价格：￥72.9371
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