【产品】表贴封装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管

时间： 2018-03-20 来源：TT Electronics（世强编辑整理） 作者：文小畅

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HCT802系列是TT Electronics（TT）推出的一款6管脚表面贴装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），触点采用镀金工艺。该系列场效应晶体管的V_DS为90V，R_DS(on)小于5Ω。其中，N沟道MOS管的I_D(on)为1.5A，P沟道MOS管的I_D(on)为1.1A。

HCT802系列场效应管在密封的陶瓷表贴封装下提供N沟道和P沟道两种类型MOS晶体管，使用的器件类似于工业标准的2N6661N沟道器件和VP1008P沟道器件。这两种增强类型的金属氧化物半导体场效应管MOSFETS尤其能良好地匹配V_DS,I_DS(on),R_DS(on) and G_fs。

HCT802TX和HCT802TXV型号的金属氧化物半导体场效应管符合MIL-PRF-19500标准，并且满足OPTEK军事筛选程序，可靠性高。其中，HCT7000MTX产品在150℃时，能够获得栅极与源极间持续48小时的 24V高温反向偏压以及漏极与源极间持续260小时的48V高温反向偏压。

图1 HCT802系列参数信息

图2 HCT802系列示意图

HCT802系列的特点（T_A=25℃，除非另外说明）：

•漏源电压：90V

•栅源电压：±20V

•N沟道漏电流[由Tj最大值限制]：2A

•P沟道漏电流[由Tj最大值限制]：1.1A

•工作及存储温度范围：-55℃~+150℃

•功耗[两颗MOS管同时驱动]：0.5W

•功耗[两颗MOS管同时驱动]：1.5W（仅作设计参考。取决于安装材料和方法，非测试数据）

•漏源击穿电压[I_D=10µA，V_GS=0]：90V（最小值）

•N沟道栅级开启电压[V_GS=V_DS，I_D=1mA]：0.75V（最小值），2.5V（最大值）

•P沟道栅级开启电压[I_D=-1mA]：-2.0V（最小值），-4.5V（最大值）

•栅极漏电流[V_GS=±20V，V_DS=0]：±100nA（最大值）

•饱和漏电流[V_DS=90V，V_GS=0]：10µA（最大值）

•饱和漏电流[Tj=150℃]：500µA（最大值）

•N沟道通态漏极电流[V_DS=25V，V_GS=10V]：1.5A（最小值）

•P沟道通态漏极电流[V_DS=-15V，VGS=-10V]：-1.1A（最小值）

•N沟道正向跨导[V_DS=25V，I_D=0.5A]：170 mmho（最小值）

•P沟道正向跨导[V_DS=-10V，I_D=-0.5A]：200 mmho（最小值）

•N沟道输入电容[V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz]：70pf（最大值）

•P沟道输入电容[V_DS=-25V，V_GS=0V，f=1MHz]：150pf（最大值）

•N沟道共源输出电容[V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz]：40pf（最大值）

•P沟道共源输出电容[V_DS=-25V，V_GS=0V，f=1MHz]：60pf（最大值）

•N沟道反向传输电容[V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz]：10pf（最大值）

•P沟道反向传输电容[V_DS=-25V，V_GS=0V，f=1MHz]：25pf（最大值）

•N沟道开通时间[V_DD=25V，I_D=1A，R_L=50Ω]：15ns（最大值）

•P沟道开通时间[V_DD=-25V，I_D=-0.5A，R_L=50Ω]：50ns（最大值）

•N沟道关断时间[V_DD=25V，I_D=1A，R_L=50Ω]：17ns（最大值）

•P沟道关断时间[V_DD=-25V，I_D=-0.5A，R_L=50Ω]：50ns（最大值）

HCT802系列的应用：

•驱动器（固态继电器、灯具、螺线管、显示器、存储器等）

•电机控制

•馈电电路

技术顾问：winthony

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希望的风 Lv8. 研究员 2018-09-05

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号角 Lv5 2018-09-04

好东西
用户13871211 Lv7. 资深专家 2018-09-03

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MagicMoon Lv8 2018-09-03

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勇哥666 Lv7. 资深专家 2018-09-02

扩展知识面。

咖啡加奶 Lv8. 研究员 2018-08-29

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用户34108908 Lv4. 资深工程师 2018-08-27

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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-08-27

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滨海养老会所 Lv7. 资深专家 2018-08-25

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阿丹 Lv6. 高级专家 2018-08-17

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