【产品】满足军用要求，可兼容SOT23封装的N沟道增强型MOS晶体管
HCT7000M系列是TT Electronics（TT）推出的N沟道增强型金属氧化物半导体晶体管（N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor），采用超小型表面贴装封装，正向工作电流为200mA，RDS(ON)小于5Ω。该系列MOS晶体管的引脚输出可与大多数SOT23封装的MOS场效应晶体管兼容，具备良好的兼容性。
HCT7000M系列的高性能增强型N沟道MOS晶体管芯片由超小型3引脚的陶瓷LCC封装。电气特性类似于JEDEC 2N7000，引线和引脚可匹配大多数SOT23封装的增强型金属氧化物半导体晶体管。
HCT7000MTX和HCT7000MTXV型号的MOS晶体管符合MIL-PRF-19500标准，并且满足OPTEK军事筛选程序，可靠性高。其中，HCT7000MTX型号的MOS晶体管在150℃时，能够获得栅极与源极间持续48小时的24V高温反向偏压，以及漏极与源极间持续260小时的48V高温反向偏压。
图1 HCT7000M系列参数信息
图2 HCT7000M系列示意图
HCT7000M系列的特点（TA=25℃，除非另外说明）：
•漏源电压：60V
•栅源电压：±40V
•漏极电流：200mA
•功耗[TA=25℃]：300mW
•功耗[TS=25℃]：600mW（取决于安装材料和安装方法，非测量值，仅供设计参考）
•工作及存储温度范围：-55℃~+150℃
•热电阻RØJC：100℃/W
•热电阻RØJA：583℃/W
•漏源电压[VGS=0V，ID=10µA]：60V（最小值）
•栅级阈值电压[VDS=VGS，ID=1mA]：0.8V（最小值），3.0V（最大值）
•栅极漏电流[VDS=0V，VGS=±15V]：±10nA（最大值）
•饱和漏电流[VGS=0V，VDS=48V]：1µA（最大值）
•通态漏极电流[VDS=10V，VGS=4.5V]：75mA（最小值）
•漏源导通电阻[VGS=10V，ID=0.5A]：5Ω（最大值）
•漏源电压[VGS=10V，ID=0.5A]：2.5V（最大值）
•正向跨导[VDS=10V，ID=0.2A]：100mS（最小值）
•输入电容[VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz]：60pf（最大值）
•输出电容[VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz]：25pf（最大值）
•反向传输电容[VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz]：5pf（最大值）
•开通时间[VDD=15V，ID=0.5A，Vgen=10V，Rg=25Ω]：10ns（最大值）
•关断时间[VDD=15V，ID=0.5A，Vgen=10V，Rg=25Ω]：10ns（最大值）
HCT7000M系列的应用：
•开关应用（小型伺服电机控制、功率MOS栅极驱动器）
•继电器驱动
•高速线路驱动
•供电器
技术顾问：winthony
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用户56731903 Lv9. 科学家 2018-09-03学习了！！！ -
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独角兽 Lv9. 科学家 2018-09-03不错 -
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Clarence Lv8. 研究员 2018-09-03学习 -
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冷锋 Lv7. 资深专家 2018-09-02不错 -
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用户18396822 Lv8 2018-09-02太棒了 -
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高山流水wh Lv4. 资深工程师 2018-09-02学习一下 -
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罗花流水 Lv7. 资深专家 2018-09-01支持 -
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terrydl Lv9. 科学家 2018-08-31不错 -
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豆包 Lv4. 资深工程师 2018-08-30学习 -
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小辣椒 Lv4. 资深工程师 2018-08-30封装小性能高
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公司动态 发布时间 : 2022-11-11
电子商城
品牌：TT Electronics
品类：N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor
价格：￥404.7912
现货： 0
品牌：TT Electronics
品类：N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor
价格：￥292.8359
现货： 0
品牌：TT Electronics
品类：Long Distance Reflective Switch
价格：￥41.6779
现货： 48
品牌：TT Electronics
品类：Long Distance Reflective Switch
价格：￥72.9371
现货： 45
现货市场
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服务
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