【产品】满足军用要求，可兼容SOT23封装的N沟道增强型MOS晶体管

时间： 2018-03-20 来源：TT Electronics（世强编辑整理） 作者：文小畅

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HCT7000M系列是TT Electronics（TT）推出的N沟道增强型金属氧化物半导体晶体管（N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor），采用超小型表面贴装封装，正向工作电流为200mA，R_DS(ON)小于5Ω。该系列MOS晶体管的引脚输出可与大多数SOT23封装的MOS场效应晶体管兼容，具备良好的兼容性。

HCT7000M系列的高性能增强型N沟道MOS晶体管芯片由超小型3引脚的陶瓷LCC封装。电气特性类似于JEDEC 2N7000，引线和引脚可匹配大多数SOT23封装的增强型金属氧化物半导体晶体管。

HCT7000MTX和HCT7000MTXV型号的MOS晶体管符合MIL-PRF-19500标准，并且满足OPTEK军事筛选程序，可靠性高。其中，HCT7000MTX型号的MOS晶体管在150℃时，能够获得栅极与源极间持续48小时的24V高温反向偏压，以及漏极与源极间持续260小时的48V高温反向偏压。

图1 HCT7000M系列参数信息

图2 HCT7000M系列示意图

HCT7000M系列的特点（T_A=25℃，除非另外说明）：

•漏源电压：60V

•栅源电压：±40V

•漏极电流：200mA

•功耗[T_A=25℃]：300mW

•功耗[T_S=25℃]：600mW（取决于安装材料和安装方法，非测量值，仅供设计参考）

•工作及存储温度范围：-55℃~+150℃

•热电阻R_ØJC：100℃/W

•热电阻R_ØJA：583℃/W

•漏源电压[V_GS=0V，I_D=10µA]：60V（最小值）

•栅级阈值电压[V_DS=V_GS，I_D=1mA]：0.8V（最小值），3.0V（最大值）

•栅极漏电流[V_DS=0V，V_GS=±15V]：±10nA（最大值）

•饱和漏电流[V_GS=0V，V_DS=48V]：1µA（最大值）

•通态漏极电流[V_DS=10V，V_GS=4.5V]：75mA（最小值）

•漏源导通电阻[V_GS=10V，I_D=0.5A]：5Ω（最大值）

•漏源电压[V_GS=10V，I_D=0.5A]：2.5V（最大值）

•正向跨导[V_DS=10V，I_D=0.2A]：100mS（最小值）

•输入电容[V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz]：60pf（最大值）

•输出电容[V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz]：25pf（最大值）

•反向传输电容[V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz]：5pf（最大值）

•开通时间[V_DD=15V，I_D=0.5A，V_gen=10V，R_g=25Ω]：10ns（最大值）

•关断时间[V_DD=15V，I_D=0.5A，V_gen=10V，R_g=25Ω]：10ns（最大值）

HCT7000M系列的应用：

•开关应用（小型伺服电机控制、功率MOS栅极驱动器）

•继电器驱动

•高速线路驱动

•供电器

技术顾问：winthony

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全部评论（23）

用户56731903 Lv9. 科学家 2018-09-03

学习了！！！
独角兽 Lv9. 科学家 2018-09-03

不错
Clarence Lv8. 研究员 2018-09-03

学习
冷锋 Lv7. 资深专家 2018-09-02

不错
用户18396822 Lv8 2018-09-02

太棒了

高山流水wh Lv4. 资深工程师 2018-09-02

学习一下
罗花流水 Lv7. 资深专家 2018-09-01

支持
terrydl Lv9. 科学家 2018-08-31

不错
豆包 Lv4. 资深工程师 2018-08-30

学习
小辣椒 Lv4. 资深工程师 2018-08-30

封装小性能高

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