【选型】可用于无线充电器的MOSFET选型推荐

时间： 2022-03-03 来源：锐骏半导体

技术问答

无线充电器主要是指手机无线充电器，无线充电器是利用电磁感应原理进行充电的设备，而无线充电技术是一种特殊的供电方式，它不需要电源线，依靠电磁波传播，然后将电磁波能量转化为电能，最终实现无线充电。

工作方式

电磁感应

目前最常见手机无线充电工作方式是电磁感应，它利用电磁感应的原理，通过初级和次级线圈之间的电磁感应来产生电流，从而实现能量在空间范围内的传递；这种无线充电器的实现方式得到了无线充电联盟的推广。

无线充电器基本原理

无线电充电器的直流输入可以是AC/DC充电头或者USB直流输入的直流电流，通过振荡电路产生高频信号，但高频信号是只是信号传输，需要通过功率放大，把信号放大，通过发射线圈把能量传到次级。由此，加在初级线圈获得的高频交流信号后，发射线圈与接收线圈之间会建立一个变化的磁场，由电磁感应原理，次级高频接收线圈也将产生同样的高频信号。

次级线圈获得的能力及电压幅值由电源电压，高频振动频率，发射及接收线圈匝数，以及发射线圈与接收线圈之间的距离相对位置等参数共同决定。次级获得的交流信号不能直接加到负载，需要经过整流稳压后接到负载。所以这个是要手机有无线充电接收电路才能使用。目前苹果，小米，三星，华为都支持无线充电功能。

而在手机上目前大多数厂商采用的都是“Qi”无线充电标准，包括三星S9、苹果iPhone X，小米无线充电都是Qi标准，无线充电器的功率为5W,7.5W,10W,15W。目前市面苹果手机支持的充电功率为7.5W。

无线充电器电路分析

从凌通科技GPMQ9019B方案可以看出MOS管有2用处。用处1一般放在直流输入端，用来开关直流电源的通断；用处2，用作为无线电充电驱动开关，驱动初级线圈,MOS管可以用H桥的方式驱动。

MOSFET选型

MOSFET在PD充电器电路中，关注耐压Vds，耐流值Ids。

本讲主要讲的是无线充电器。电压输出范围：5～12V，电流档位：1A,1.1A、1.2A,2A。

目前主流的无线充电器规格有：

5W:5V/1A
7.5W:5V/1A,5V/1.5A，
10W:5V/1A,5V/2A,9V/1.1A
15W:5V/1A,5V/2A,9V/1.6A,12V/1.25A

无线电充电器中，用到MOS管的地方有两处：

（1）直流输入开关MOS管。

（2）无线电充电驱动开关。可以通过功率发射芯片IO口 PWM输出驱动MOS管，MOS管作为无线电充电驱动开关，驱动初级线圈。此处线圈会发热，IDS需要选择大些。

锐骏半导体MOSFET推荐：

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