【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
P80FH5ENK 是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款50V，80A的N沟道功率MOSFET，它的漏极-源极电压VDSS 为50V，漏极持续电流（DC）ID最大值为80A，适合大中型功率应用，器件能够承受单一雪崩电流IAS高达63A，可承受单一雪崩能量EAS达418mJ，能够为MOSFET提供极好的保护。
P80FH5ENK 的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为3mΩ（ID＝40A,VGS＝10V），拥有较低的损耗，器件采用FH的封装方式，结壳热阻θjc最大仅为0.97℃/W，总损耗功率最大值为128W，有效提高了能源利用效率。
P80FH5ENK拥有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为13ns，上升时间tr典型值为27ns，关断延迟时间td（off)典型值为23ns，下降时间tf典型值为5ns，二极管反向恢复时间trr典型值为47ns，能够满足高频开关电路的设计需求。其总门极电荷Qg典型值为70nC，二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为74nC，有着较好的开关性能。
P80FH5ENK的零门极电压漏电流IDSS最大为1uA，门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA，有效确保器件在运行过程中具有低损耗，正向跨导gfs典型值为30S，表明MOSFET有较好的放大能力。
P80FH5ENK的主要特点：
•SMD封装
•漏极-源极电压VDSS 为50V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为80A
•正向跨导gfs典型值为30S（ID＝40A,VDS＝10V）
• 可承受单一的雪崩电流IAS达63A，可承受雪崩能量EAS为418mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为3mΩ（ID＝40A,VGS＝10V）
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•结壳热阻θjc最大为0.97℃/W
•器件总损耗功率最大值为128W
•总门极电荷Qg典型值为70nC（VDD=40V，VGS=10V，ID=80A）
•导通延迟时间td（on)典型值为13ns，上升时间tr典型值为27ns，关断延迟时间td（off)典型值为23ns，下降时间tf典型值为5ns（ID=40A，RL=0.63Ω，VDD=25V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零门极电压漏电流IDSS最大仅为1uA（VDS=50V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
P80FH5ENK的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•功率因数校正（PFC）
•电机驱动
图一：P80FH5ENK 外部视图
图二：P80FH5ENK 典型输出特性及转移特性曲线
图三：P80FH5ENK 电容特性曲线
技术顾问：惠惠
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