【产品】50V,80A的N沟道功率MOSFET,导通电阻典型值仅为3mΩ

2018-03-17 SHINDENGEN(世强编辑整理) 张山三
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P80FH5ENKSHINDENGEN(新电元)半导体公司推出的一款50V,80A的N沟道功率MOSFET,它的漏极-源极电压VDSS 为50V,漏极持续电流(DC)ID最大值为80A,适合大中型功率应用,器件能够承受单一雪崩电流IAS高达63A,可承受单一雪崩能量EAS达418mJ,能够为MOSFET提供极好的保护。


P80FH5ENK 的存储温度范围在-55℃~150℃,沟道温度最高为150℃,能够适应较为恶劣的工业环境。其静态漏源导通电阻R(DS)ON典型值仅为3mΩ(ID=40A,VGS=10V),拥有较低的损耗,器件采用FH的封装方式,结壳热阻θjc最大仅为0.97℃/W,总损耗功率最大值为128W,有效提高了能源利用效率。


P80FH5ENK拥有高开关速度,其导通延迟时间td(on)典型值为13ns,上升时间tr典型值为27ns,关断延迟时间td(off)典型值为23ns,下降时间tf典型值为5ns,二极管反向恢复时间trr典型值为47ns,能够满足高频开关电路的设计需求。其总门极电荷Qg典型值为70nC,二极管反向恢复电荷量Qrr典型值为74nC,有着较好的开关性能。


P80FH5ENK的零门极电压漏电流IDSS最大为1uA,门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA,有效确保器件在运行过程中具有低损耗,正向跨导gfs典型值为30S,表明MOSFET有较好的放大能力。


P80FH5ENK的主要特点:

•SMD封装

•漏极-源极电压VDSS 为50V

•漏极持续电流(DC)ID最大值为80A

•正向跨导gfs典型值为30S(ID=40A,VDS=10V)

• 可承受单一的雪崩电流IAS达63A,可承受雪崩能量EAS为418mJ(起始Tch=25℃,Tch≤150℃)

•静态漏源导通电阻R(DS)ON典型值仅为3mΩ(ID=40A,VGS=10V)

•存储温度范围为-55~150℃,沟道温度最高150℃

•结壳热阻θjc最大为0.97℃/W

•器件总损耗功率最大值为128W

•总门极电荷Qg典型值为70nC(VDD=40V,VGS=10V,ID=80A)

•导通延迟时间td(on)典型值为13ns,上升时间tr典型值为27ns,关断延迟时间td(off)典型值为23ns,下降时间tf典型值为5ns(ID=40A,RL=0.63Ω,VDD=25V,Rg=0Ω,VGS(+)=10V,VGS(-)=0V)

• 零门极电压漏电流IDSS最大仅为1uA(VDS=50V,VGS=0V)

•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA(VGS=±20V,VDS=0V)


P80FH5ENK的主要应用:

•高速脉冲放大器

•负载/电源开关

•电源转换器电路

•功率因数校正(PFC)

•电机驱动

 

图一:P80FH5ENK 外部视图


图二:P80FH5ENK 典型输出特性及转移特性曲线


图三:P80FH5ENK 电容特性曲线


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  • EV Lv6. 高级专家 2018-09-11
    学习了
  • 幸福 Lv7. 资深专家 2018-09-05
    学习一下
  • serena Lv7. 资深专家 2018-09-04
    参数指标不错
  • 电子界的搬运工 Lv6. 高级专家 2018-09-03
    封装还是没有说明清楚
  • 三3三 Lv8. 研究员 2018-09-03
    了解下
  • 春天里 Lv7. 资深专家 2018-09-03
    好产品,收藏!
  • 域雄鹰雪 Lv7. 资深专家 2018-09-03
    厉害
  • MagicMoon Lv8 2018-09-03
    学习学习
  • 号角 Lv5 2018-09-02
    学习
  • 用户34108908 Lv4. 资深工程师 2018-09-01
    挺好
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