【产品】支持内存扩展的64k*16bit高速低功耗静态随机存储器

2018-03-17 ALLIANCE(世强编辑整理) 天星
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AS7C1026BALLIANCE推出的一款高性能的CMOS,结构为65,536字×16位的静态随机存取存储(SRAM)器件。它专为需要快速数据访问,低功耗和简单接口的内存应用而设计。


AS7C1026B具有10/12/15/20 ns的地址访问和周期时间(tAA,tRC,tWC),5/6/7/8 ns的输出使能访问时间(tOE),是高性能应用的理想选择。当CE为高电平时,器件进入待机模式。如果输入仍然在触发,设备将消耗ISB电源。如果总线是静态的,则达到完全待机功率(ISB1)。例如,AS7C1026B在标称完全待机条件下保证不超过55 mW。    

    

AS7C1026B的电源电压范围从4.5V到5.5V,其典型电压值为5.0V,商用芯片工作温度范围0~70℃,工业芯片工作温度范围-40~+85℃,并且其具有低噪声的特点。AS7C1026B的封装引脚图如图一所示。


图一 AS7C1026B的封装引脚图


AS7C1026B的逻辑框图如图二所示,其读写功能如下所述:

1、写周期通过声明写使能(WE)和芯片使能(CE)来完成。WE(写周期1)或CE(写周期2)的上升沿写入输入引脚I/O0至I/O15上的数据。为了避免总线竞争,只有当输出使能(OE)或写使能(WE)禁止输出后,外部设备才能驱动I/O引脚。


2、读周期通过使能写使能(WE)使能芯片使能(CE)和输出使能(OE)为高电平来实现。芯片通过输入地址引用的数据字来驱动I/O引脚。当芯片使能或输出使能无效或写使能有效时,输出驱动器保持高阻态。


图二 AS7C1026B的逻辑框图


AS7C1026B器件提供了多个中心电源和地引脚,以及独立的字节使能控制,允许单独的字节被写入和读取。LB控制低位,I/O0到I/O7,UB控制高位,I/O8到I/O15。所有的芯片输入和输出都是TTL兼容的,并且采用5V单电源供电,该器件采用通用工业标准封装。


AS7C1026B的特点及优势:

•工业和商业两个版本

•将电源和接地引脚置于中央,便于降低噪音

•高速

-10/12/15/20 ns地址访问时间

-5/6/7/8 ns输出使能访问时间

•运行低功耗

-10 ns时,功耗605mW(最大)

•待机低功耗

-55 mW(最大)

•6T 0.18u CMOS技术

•通过CE,OE输入轻松实现内存扩展

•TTL兼容三态I/O

•JEDEC标准包装

•ESD保护≥2000伏

•闭锁电流≥200mA


典型应用:

•数据存储

•驱动器

•运动控制卡

•程序存储

•硬件内存扩展


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  • 九州同路人 Lv8. 研究员 2018-11-12
    厉害了
  • 豆包 Lv4. 资深工程师 2018-09-05
    学习
  • 嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-09-05
    学习了
  • 用户77496172 Lv3. 高级工程师 2018-09-04
    学习
  • 滨海养老会所 Lv7. 资深专家 2018-09-04
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  • Ranger Lv8. 研究员 2018-09-04
    学习一下
  • 游来游去 Lv8. 研究员 2018-09-02
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  • Ranger Lv8. 研究员 2018-09-01
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  • 希望的风 Lv8. 研究员 2018-08-31
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  • 豆包 Lv4. 资深工程师 2018-08-30
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品类
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DENSITY
ORGANISATION
VCC(V)
TEMPERATURE RANGE(°C)
PACKAGE
MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN
存储器
FAST-Asynch
64K Fast
8K x 8
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Commercial (0 ~ 70°C)
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