【产品】支持内存扩展的64k*16bit高速低功耗静态随机存储器
AS7C1026B是ALLIANCE推出的一款高性能的CMOS,结构为65,536字×16位的静态随机存取存储(SRAM)器件。它专为需要快速数据访问,低功耗和简单接口的内存应用而设计。
AS7C1026B具有10/12/15/20 ns的地址访问和周期时间(tAA,tRC,tWC),5/6/7/8 ns的输出使能访问时间(tOE),是高性能应用的理想选择。当CE为高电平时,器件进入待机模式。如果输入仍然在触发,设备将消耗ISB电源。如果总线是静态的,则达到完全待机功率(ISB1)。例如,AS7C1026B在标称完全待机条件下保证不超过55 mW。
AS7C1026B的电源电压范围从4.5V到5.5V,其典型电压值为5.0V,商用芯片工作温度范围0~70℃,工业芯片工作温度范围-40~+85℃,并且其具有低噪声的特点。AS7C1026B的封装引脚图如图一所示。
图一 AS7C1026B的封装引脚图
AS7C1026B的逻辑框图如图二所示,其读写功能如下所述:
1、写周期通过声明写使能(WE)和芯片使能(CE)来完成。WE(写周期1)或CE(写周期2)的上升沿写入输入引脚I/O0至I/O15上的数据。为了避免总线竞争,只有当输出使能(OE)或写使能(WE)禁止输出后,外部设备才能驱动I/O引脚。
2、读周期通过使能写使能(WE)使能芯片使能(CE)和输出使能(OE)为高电平来实现。芯片通过输入地址引用的数据字来驱动I/O引脚。当芯片使能或输出使能无效或写使能有效时,输出驱动器保持高阻态。
图二 AS7C1026B的逻辑框图
AS7C1026B器件提供了多个中心电源和地引脚,以及独立的字节使能控制,允许单独的字节被写入和读取。LB控制低位,I/O0到I/O7,UB控制高位,I/O8到I/O15。所有的芯片输入和输出都是TTL兼容的,并且采用5V单电源供电,该器件采用通用工业标准封装。
AS7C1026B的特点及优势:
•工业和商业两个版本
•将电源和接地引脚置于中央,便于降低噪音
•高速
-10/12/15/20 ns地址访问时间
-5/6/7/8 ns输出使能访问时间
•运行低功耗
-10 ns时,功耗605mW(最大)
•待机低功耗
-55 mW(最大)
•6T 0.18u CMOS技术
•通过CE,OE输入轻松实现内存扩展
•TTL兼容三态I/O
•JEDEC标准包装
•ESD保护≥2000伏
•闭锁电流≥200mA
典型应用:
•数据存储
•驱动器
•运动控制卡
•程序存储
•硬件内存扩展
订购信息:
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九州同路人 Lv8. 研究员 2018-11-12厉害了
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豆包 Lv4. 资深工程师 2018-09-05学习
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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-09-05学习了
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希望的风 Lv8. 研究员 2018-08-31收藏
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豆包 Lv4. 资深工程师 2018-08-30不错
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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