【产品】支持内存扩展的64k*16bit高速低功耗静态随机存储器

时间： 2018-03-17 来源：ALLIANCE(世强编辑整理) 作者：天星

技术问答

AS7C1026B是ALLIANCE推出的一款高性能的CMOS，结构为65,536字×16位的静态随机存取存储（SRAM）器件。它专为需要快速数据访问，低功耗和简单接口的内存应用而设计。

AS7C1026B具有10/12/15/20 ns的地址访问和周期时间（t_AA，t_RC，t_WC），5/6/7/8 ns的输出使能访问时间（t_OE），是高性能应用的理想选择。当CE为高电平时，器件进入待机模式。如果输入仍然在触发，设备将消耗I_SB电源。如果总线是静态的，则达到完全待机功率（I_SB1）。例如，AS7C1026B在标称完全待机条件下保证不超过55 mW。

AS7C1026B的电源电压范围从4.5V到5.5V，其典型电压值为5.0V，商用芯片工作温度范围0~70℃，工业芯片工作温度范围-40~+85℃，并且其具有低噪声的特点。AS7C1026B的封装引脚图如图一所示。

图一 AS7C1026B的封装引脚图

AS7C1026B的逻辑框图如图二所示，其读写功能如下所述：

1、写周期通过声明写使能（WE）和芯片使能（CE）来完成。WE（写周期1）或CE（写周期2）的上升沿写入输入引脚I/O0至I/O15上的数据。为了避免总线竞争，只有当输出使能（OE）或写使能（WE）禁止输出后，外部设备才能驱动I/O引脚。

2、读周期通过使能写使能（WE）使能芯片使能（CE）和输出使能（OE）为高电平来实现。芯片通过输入地址引用的数据字来驱动I/O引脚。当芯片使能或输出使能无效或写使能有效时，输出驱动器保持高阻态。

图二 AS7C1026B的逻辑框图

AS7C1026B器件提供了多个中心电源和地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单独的字节被写入和读取。LB控制低位，I/O0到I/O7，UB控制高位，I/O8到I/O15。所有的芯片输入和输出都是TTL兼容的，并且采用5V单电源供电，该器件采用通用工业标准封装。

AS7C1026B的特点及优势:

•工业和商业两个版本

•将电源和接地引脚置于中央，便于降低噪音

•高速

-10/12/15/20 ns地址访问时间

-5/6/7/8 ns输出使能访问时间

•运行低功耗

-10 ns时，功耗605mW（最大）

•待机低功耗

-55 mW（最大）

•6T 0.18u CMOS技术

•通过CE，OE输入轻松实现内存扩展

•TTL兼容三态I/O

•JEDEC标准包装

•ESD保护≥2000伏

•闭锁电流≥200mA

典型应用：

•数据存储

•驱动器

•运动控制卡

•程序存储

•硬件内存扩展

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技术顾问：采蘑菇的小红帽

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九州同路人 Lv8. 研究员 2018-11-12

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豆包 Lv4. 资深工程师 2018-09-05

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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-09-05

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用户77496172 Lv3. 高级工程师 2018-09-04

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数据手册 - ALLIANCE - 2004年04月20日 PDF 英文下载