【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源

2018-03-06 世强 在路上
MOSFET,eGaN FET,EPC2014C,EPC2015C MOSFET,eGaN FET,EPC2014C,EPC2015C MOSFET,eGaN FET,EPC2014C,EPC2015C MOSFET,eGaN FET,EPC2014C,EPC2015C

射频功率放大器PA是基站的核心器件,效率是评价其性能优劣的核心指标之一。当PA的输出功率达到峰值,其运行效率最高。不过由于现代通信标准使用的是峰均比(PAPR)越来越高的调制信号,使得PA效率将会显著降低。虽然有多种技术可以用来改善PA的功率附加效率,但包络跟踪技术由于能提高可控效率,在移动范围内可抑制线性度恶化,适用于高峰均比系统等优点,因而得到了广泛的应用。


下图一是固定供电和包络跟踪技术PA的效率比较,从中可以看出,采用包络跟踪技术对PA效率的提升是非常明显的。


图一:固定供电和包络跟踪技术PA的效率比较


包络跟踪技术的原理就是为功放提供随输出信号功率变化而动态实时变化的偏置电压,以维持功放工作在效率较高的区域。其中的包络跟踪电源又是包络跟踪技术中的核心单元,用来产生需要快速变化的供电电压,单开关变换器方式、开关线性组合方式、多个开关变换器交错并联方式和多电平开关变换器方式,都可以实现。由于不同的实现方式有不同的优缺点,不过无论哪种实现方式,对电源中用的MOS管及驱动芯片的开关速度要求,现有的普通MOS管和驱动芯片的速度有限,没法跟踪到高速的包络信号,如果包络信号的频率为1MHz,要使包络跟踪电源的输出跟上包络信号的变化,那么开关管上的PWM波的频率至少要为包络信号频率的10倍以上。这里推荐EPC的氮化镓功率MOSFET来担此重任。由于氮化镓功率MOS管的开关速度在纳秒级范围,具备超快速开关性能,可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。下图二是线性辅助开关电源实现RFPA的包络跟踪电源,图中的Q1,Q2开关管可以用EPC的氮化镓MOS来实现。



图二:线性辅助开关电源实现RFPA的包络跟踪电源


EPC的氮化镓MOS管的优势:

1)更高的开关频率——更低的开关损坏和更低的驱动功率使得通过提高开关频率扩大包络电源的带宽

2)更高的效率——更低的导通和开关损耗,零反向恢复损坏

3)更小的封装——更高的功率密度,散热效果更好



表一:包络跟踪电源EPC的氮化镓功率器件推荐型号及评估板


表一列出了在包络跟踪电源里面EPC的氮化镓功率器件的可用型号及其相应的评估板,如需相关型号的样品和评估板,请通过世强元件电商平台搜索下载和购买。如果您觉得本文对您有所帮助,请收藏、点赞和分享给更多的朋友,感谢!有问题请留言或电话联系世强400-887-3266。


世强元件电商版权所有,转载请注明来源和链接。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 2

评论

   |   

提交评论

全部评论(2

  • duanmaxie Lv8. 研究员 2018-03-07
    学习一下
  • terrydl Lv9. 科学家 2018-03-07
    看看
没有更多评论了

相关推荐

【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电

应用于放大器的氮化镓场效应晶体管及集成电路具备卓越性能,成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件。

新应用    发布时间 : 2019-07-16

【应用】小尺寸功率MOSFET为以太网供电提供60V/50V的电压, 280mA的电流

Central推出的CMLDM7002A/CMLDM8002A分别采用双N通道/双P通道增强模式,在故障状态下会以20nS的极短时间快速关断,即使在高达-65°C到150°C的工作温度下仍能实现。

新应用    发布时间 : 2017-05-13

EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

目录- eGaN FETs and ICs    eGaN® Integrated Circuits    Half-Bridge Development Boards    DrGaN    DC-DC Conversion    Lidar/Motor Drive    AC/DC Conversion   

型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9067,EPC2032,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC9066,EPC8010,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9179,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128

选型指南  -  EPC  - 2024/1/3 PDF 英文 下载

BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer

Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.

应用方案    发布时间 : 2022-08-26

测试报告  -  EPC  - 7/8/2024 PDF 英文 下载

【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计

在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上。

应用方案    发布时间 : 2020-04-29

测试报告  -  EPC  - 1/10/2023 PDF 英文 下载

测试报告  -  EPC  - 5/6/2024 PDF 英文 下载

How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs

This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.

设计经验    发布时间 : 2021-11-01

测试报告  -  EPC  - 4/24/2024 PDF 英文 下载

eGaN FETs Are Low EMI Solutions!

GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.

新产品    发布时间 : 2020-08-15

【应用】如何使用200V eGaN FET设计2.5kW高效FCML图腾柱无桥PFC整流器

本文介绍了一种适用于数据中心应用的高效,高功率密度,2.5kW的基于eGaN FET的飞跨电容4电平图腾柱无桥整流器。采用EPC旗下200V/8mΩ的EPC2215用于高频支路,其转换器在900W至2.5kW的效率超过99%,在1.4kW时的峰值为99.25%。

应用方案    发布时间 : 2020-11-27

测试报告  -  EPC  - 4/24/2024 PDF 英文 下载

【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管,总栅极电荷仅370pC

EPC的EPC8009导通电阻为90mΩ,具有很低的FOM值。

新产品    发布时间 : 2017-10-13

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.0581

现货: 4,505

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥13.3792

现货: 2,424

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格:¥5.6384

现货: 2,417

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格:¥5.9251

现货: 2,357

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格:¥4.3005

现货: 2,099

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥4.5991

现货: 554

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥4.4127

现货: 0

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥12.3915

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

价格:¥1.0500

现货:500,000

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥0.7000

现货:500,000

品牌:MCC

品类:MOSFET

价格:¥0.1627

现货:305,993

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2360

现货:263,268

品牌:TOSHIBA

品类:MOSFET

价格:¥0.2034

现货:251,269

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.4460

现货:222,500

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.3640

现货:196,984

品牌:MCC

品类:MOSFET管

价格:¥0.3248

现货:168,278

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2140

现货:155,504

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.1700

现货:121,731

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面