【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源
射频功率放大器PA是基站的核心器件,效率是评价其性能优劣的核心指标之一。当PA的输出功率达到峰值,其运行效率最高。不过由于现代通信标准使用的是峰均比(PAPR)越来越高的调制信号,使得PA效率将会显著降低。虽然有多种技术可以用来改善PA的功率附加效率,但包络跟踪技术由于能提高可控效率,在移动范围内可抑制线性度恶化,适用于高峰均比系统等优点,因而得到了广泛的应用。
下图一是固定供电和包络跟踪技术PA的效率比较,从中可以看出,采用包络跟踪技术对PA效率的提升是非常明显的。
图一:固定供电和包络跟踪技术PA的效率比较
包络跟踪技术的原理就是为功放提供随输出信号功率变化而动态实时变化的偏置电压,以维持功放工作在效率较高的区域。其中的包络跟踪电源又是包络跟踪技术中的核心单元,用来产生需要快速变化的供电电压,单开关变换器方式、开关线性组合方式、多个开关变换器交错并联方式和多电平开关变换器方式,都可以实现。由于不同的实现方式有不同的优缺点,不过无论哪种实现方式,对电源中用的MOS管及驱动芯片的开关速度要求,现有的普通MOS管和驱动芯片的速度有限,没法跟踪到高速的包络信号,如果包络信号的频率为1MHz,要使包络跟踪电源的输出跟上包络信号的变化,那么开关管上的PWM波的频率至少要为包络信号频率的10倍以上。这里推荐EPC的氮化镓功率MOSFET来担此重任。由于氮化镓功率MOS管的开关速度在纳秒级范围,具备超快速开关性能,可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。下图二是线性辅助开关电源实现RFPA的包络跟踪电源,图中的Q1,Q2开关管可以用EPC的氮化镓MOS来实现。
图二:线性辅助开关电源实现RFPA的包络跟踪电源
EPC的氮化镓MOS管的优势:
1)更高的开关频率——更低的开关损坏和更低的驱动功率使得通过提高开关频率扩大包络电源的带宽
2)更高的效率——更低的导通和开关损耗,零反向恢复损坏
3)更小的封装——更高的功率密度,散热效果更好
表一:包络跟踪电源EPC的氮化镓功率器件推荐型号及评估板
表一列出了在包络跟踪电源里面EPC的氮化镓功率器件的可用型号及其相应的评估板,如需相关型号的样品和评估板,请通过世强元件电商平台搜索下载和购买。如果您觉得本文对您有所帮助,请收藏、点赞和分享给更多的朋友,感谢!有问题请留言或电话联系世强400-887-3266。
世强元件电商版权所有,转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电
应用于放大器的氮化镓场效应晶体管及集成电路具备卓越性能,成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件。
新应用 发布时间 : 2019-07-16
【应用】小尺寸功率MOSFET为以太网供电提供60V/50V的电压, 280mA的电流
Central推出的CMLDM7002A/CMLDM8002A分别采用双N通道/双P通道增强模式,在故障状态下会以20nS的极短时间快速关断,即使在高达-65°C到150°C的工作温度下仍能实现。
新应用 发布时间 : 2017-05-13
EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
目录- eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9067,EPC2032,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC9066,EPC8010,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9179,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs
This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.
设计经验 发布时间 : 2021-11-01
Making a Fast, Efficient, Small 350V Half Bridge Module with EPC‘s eGaN FETs
Sensitron collaborated with EPC to use the recently released EPC2050 GaN FET to develop a 350V half bridge module. Designed for commercial, industrial, and aerospace applications, the SPG025N035P1B half bridge intelligent power module is rated at 20A and can be used to control over 5kW.
应用方案 发布时间 : 2022-08-10
【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍
EPC推出新型200V eGaN FETs(氮化镓增强型功率晶体管),相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半,栅电极和源电极之间的距离有所减小,金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。
新产品 发布时间 : 2020-11-04
BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer
Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.
应用方案 发布时间 : 2022-08-26
【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管,总栅极电荷仅370pC
EPC的EPC8009导通电阻为90mΩ,具有很低的FOM值。
新产品 发布时间 : 2017-10-13
【应用】如何使用200V eGaN FET设计2.5kW高效FCML图腾柱无桥PFC整流器
本文介绍了一种适用于数据中心应用的高效,高功率密度,2.5kW的基于eGaN FET的飞跨电容4电平图腾柱无桥整流器。采用EPC旗下200V/8mΩ的EPC2215用于高频支路,其转换器在900W至2.5kW的效率超过99%,在1.4kW时的峰值为99.25%。
应用方案 发布时间 : 2020-11-27
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
现货: 2,357
品牌:EPC
品类:Enhancement Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥4.3005
现货: 2,099
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论