【产品】在800nm波段倍增率100倍的硅雪崩二极管、开发EAS性能优越的1200V级高压快恢复二极管

时间： 2019-06-05 来源：KODENSHI

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本文主要介绍可天士（KODENSHI）最新研发的两款产品。

1、在800nm波段倍增率100倍的SiAPD国产化

一直以来全部依赖进口的硅雪崩二极管（SiAPD）首次国产化成功。APD为内部拥有光电流放大结构的PD。在光电二极管上，加大反向偏压，产生的电子在强电场中与加速原子碰撞，产生新的电子和空穴，利用此雪崩击穿现象将光信号转换成电信号。雪崩击穿二极管灵敏度高，检测速度快。可检测到强度特别微弱的光信号，用于光通信的检测仪。此次开发的SiAPD拥有与外国产品大致相同水平的感光度倍增率和高灵敏性，期待在汽车传感器及模块市场上快速替代外国产品。

SiAPD KAPD-800-001

2、开发EAS性能优越的1200V级高压快恢复二极管 FRD

开发EAS性能优越的FRD，可用在包括不间断电源装置（UPS）工业设备的1200V级高电压FRD，作为大功率工业用配件，扩大了事业领域。FRD在高速开关电路中，防止开关损坏，预防回流二极管和正向电压过载，与钳位二极管一样起到保护作用的器件。随着电压控制器件的绝缘栅双极晶体管（IGBT）或者金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的开关速度加快，要求FRD快速逆向恢复时间（TRR）和高耐压。BVR是随着反向电压的快速上升，某一瞬间突然流过的电压。FRD是二极管中电流突然如雪崩一样上升的现象，为防止器件损坏，提高EAS。将寄生电容降低至原产品的四分之一，将芯片尺寸减小，即降低了成本。而且保持高耐静电特性（ESD-HBM）可预防静电造成的电火花。此次开发的产品为用于UPS和焊接机等设备上最为常用的额定电流8A和15A级别，最近客户正在进行测试评价。向后也将计划开发并提供高电流用30A、60A级产品，并以此次开发的FRD为开始，进军大功率工业用配件市场，并且不仅是国内市场，还要积极开拓包括中国的海外市场。

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