【产品】漏源电压1700V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A650170K，连续漏极电流为7A
中电国基南方推出的N沟道SiC功率MOSFET WM1A650170K采用TO-247-3封装，其漏源电压VDSmax为1700V（VGS=0V，ID=100μA），连续漏极电流ID为7.0A（VGS=20V，TC=25℃），漏源导通电阻RDS(on)的典型值为650mΩ（VGS=20V，ID=2.0A）；结壳热阻的典型值为1.8℃/W，结到环境热阻的最大值为 40℃/W。产品实物图和等效电路图如下。
产品特征
• 高阻断电压，低导通电阻
• 高速开关，低电容
• 易于并联和驱动简单
• 超低漏栅电容
优势
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高系统可靠性
• 提高系统开关频率
产品应用
• 辅助电源
• 开关电源
• 高压电容
最大额定值（TC=25℃，除非另外说明）
反向二极管特性
产品订购信息
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中电国基南方SiC MOSFET选型表
中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
|
产品型号
|
品类
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VDSS(V)
|
RDS(on)(mΩ)
|
GEN
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Drain Current(A) TC=25℃
|
VGS(th)(V) (Typ.)
|
Gate Charge Total(Qg)(nc)
|
Total Power Dissipation(PTOT)(W)
|
Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
|
Package
|
质量等级
|
|
WM2V020065K
|
SiC MOSFET
|
650V
|
20mΩ
|
G2
|
92A
|
2.6V
|
187nc
|
312W
|
175℃
|
TO-247-3
|
车规级
|
选型表 - 中电国基南方 立即选型
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型号- WSCM01KEA170T2C
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