【经验】650V GaN FET INN650D02用于60W PD快充的性能参数分析

时间： 2020-02-23 来源：世强

近期英诺赛科推出的60W PD快充demo板，采用的QR反激+SSR同步整体结构，支持PD 3.0协议，主功率器件采用自己制造的650V GaN FET产品INN650D02，最大效率对于MOSFET有大概2%提升。

一、下图为60W PD快充demo的原理图：

二、60W PD产品设计要求：

三、整体PCB以及demo产品图：

产品尺寸31mm*31mm*60mm，功率密度达到18W/in3，同时效率对比与MOSFET应用也有较大提升，230VAC输入条件下，最大效率达到94%。

四、最大电压应力应力测试数据：

反激GaN INN650D02原边漏感尖峰最大值601V，650V GaN INN650D02 在安全工作范围内。同步整流副边MOS 最大电压尖峰为99.6V。

五、输出电压纹波以及噪声问题：

90VAC输入条件下，5V/20V输出的纹波分别为90mV以及152mV。

六、测试温升情况：

测试条件：Vin=90VAC，输出20V/3A，环境温度25℃，满载一小时。

最高温度为整流桥102.1℃，各单元器件都在基本控制温度内，满足设计要求。

七、EMC摸底

（1）EMI传导

垂直/水平传导class B裕量：6dB和6.9dB。

（2）EMI辐射

垂直/水平传导class B裕量：6dB和6.9dB。

从上述数据中可以看出，采用英诺赛科的INN650D02设计的GaN快充产品无论从产品效率，还是从EMI性能来看，完全满足PD产品对于外形尺寸以及效率性能的要求。

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