【产品】650V硅上氮化镓增强型功率晶体管INN650D350A，无反向恢复电荷，符合JEDEC标准
英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管INN650D350A，采用了双平面无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm。支持超高开关频率，并且具有无反向恢复电荷，低栅极电荷，低输出电荷的优点，符合JEDEC标准的工业应用资格。
特征：
●增强型晶体管常闭电源开关
●超高开关频率
●无反向恢复电荷
●低栅极电荷，低输出电荷
●符合JEDEC标准的工业应用资格
●ESD防护
●RoHS，无铅，符合REACH
应用：
●DCM/BCM PFC
●AHB/LLC/QR反激式变换器/ACF DCDC转换器
●LED驱动器
●电池快速充电器
●笔记本/AIO适配器
●台式PC/ATX/TV/电动工具电源
关键性能参数（Tj=25℃）
引脚信息
订购信息
最大额定值
在Tj=25℃，除非另有说明。超过最大额定值可能会破坏该设备。
1.VDS，transient用于非重复事件，tPULSE<200µs。
2.VDS，pulse用于重复脉冲，tPULSE<100ns。
3.极限值是从特性测试中获取的，不是在生产过程中测量的
4.最小VGS由ESD保护电路钳位，如图10所示。
电气特性（Tj=25℃，除非另有说明）
静态特性
动态特性
1.CO（er）是当VDS从0上升到400V时，提供与COSS相同的存储能量的固定电容。
2.CO（tr）是当VDS从0上升到400V时，提供与COSS相同的充电时间的固定电容。
栅极电荷特性
反向导通特性
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