【产品】用于100V/1.25A的高频半桥NMOS驱动器
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的通态电阻、最大电压、最大电流。但对于一个好的设计方案而言,MOSFET驱动器本身的参数,例如驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
ISL89400和ISL89401是RENESAS的子公司Intersil推出的一款100V,1.25A峰值,高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器IC。 它们在HIP2100/ HIP2101半桥驱动器的基础上改进了多项性能,不仅具有较短的上升/下降时间,驱动1nF负载时典型的上升/下降时间仅为16ns,而且输入-输出的延迟时间短,能保证高压侧和低压侧的MOSFET具有相等的导通延迟和截止延迟。
图1 应用框图
此外, ISL89400在嘈杂的环境中具有额外的输入迟滞性能,能够在噪声环境中实现卓越的操作,并且ISL89401的输入(如ISL89400的输入)可以安全地振荡到VDD电平,其应用电路框图如图1所示。ISL89400/ ISL89401驱动器自举供电最高电压为114VDC,两款器件均采用非常紧凑的9 Ld DFN封装和8 Ld SOIC封装,以尽可能减少所需的PCB板面积,两种封装的引脚配置如图2所示。ISL89400和ISL89401两款驱动器略有差别,ISL89400具有CMOS兼容输入阈值,ISL89401具有3.3V / TTL兼容输入阈值。
图2 9 Ld DFN封装和8 Ld SOIC封装引脚配置
ISL89400和ISL89401高频半桥驱动器特点
·驱动N沟道MOSFET半桥;
·节省空间的DFN封装;
·DFN封装符合IPC-2221的100V导体间距导线;
·无铅(符合RoHS);
·自举供电最高电压为114VDC;
·片内1Ω自举二极管;
·多MHz电路的快速传播时间;
·典型的上升/下降时间为16ns,驱动1nF负载;
·CMOS兼容输入阈值(ISL89400);
·3.3V / TTL兼容输入阈值(ISL89401);
·独立输入提供了灵活性;
·没有启动问题;
·输出不受电源故障影响;
·低功耗;
·宽电源电压范围(9V至14V);
·欠压保护;
·4.0Ω典型输出上拉/下拉电阻;
应用领域
·功率半桥转换器
·功率全桥转换器
·双开关正激转换器
·有源钳位正激转换器
·D类音频放大器
技术顾问:坚栋
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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