ROHM SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）发展历程及主流产品
本文汇总了ROHM（罗姆）的SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）的发展，并整理了当前实际上供应的SiC-SBD。
电源IC等通过不同的架构和配置功能比较容易打造出品牌特色，而二极管和晶体管等分立元器件，功能本身是一样的，因此是直接比较几乎共通的特性项目来选型的。此时，提前了解各产品的具体不同之处，有助于缩短设计时间。
SiC-SBD的发展
ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品，已经实现近50种机型的量产销售。下图是第1代到第3代的正向电压与电流特性（VF vs IF）、以及正向电压与抗浪涌电流特性（VF vs IFSM）比较图。
第2代SiC-SBD通过改善制造工艺，保持了与以往产品同等的漏电流和trr（反向恢复时间）性能，同时将VF降低了约0.15V。因而改善了VF带来的传导损耗。
第3代致力于提高抗浪涌电流特性（IFSM）并改善漏电流（IR）性能，采用了JBS（Junction Barrier Schottky）结构。JBS结构基本上是对IFSM和IR有效的结构，成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。Tj＝25℃时的代表值相同，Tj＝150℃的条件下VF比第2代降低了0.11V。也就是说，高温条件下的工作更有利了。下面是第2代和第3代SiC-SBD的反向电压VR和反向（漏）电流IR图表，以及改善项目的数值比较表。
下面是为进一步理解VF的温度特性，从技术规格中抽取的图表。左侧为第2代产品“SCS210AG”，右侧为第3代产品“SCS310AP”，两者均为650V/10A。由图可知，第3代产品在高温时的VF-IF曲线坡度陡峭，相对同一IF，VF较低，已经得到改善。
ROHM当前供应的产品与开发计划
下面是ROHM当前供应的第2代产品和第3代产品。两者均在持续进行机型扩充中。希望下面给出的产品阵容能够成为大家进行个别规格确认等的参考。
第2代 SiC-SBD
第3代 SiC-SBD
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本文由宝丁转载自ROHM，原文标题为:所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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