【产品】100V/80A的N沟道增强型功率MOSFET BLP038N10GL,采用先进的双沟槽技术,具有快速开关等特性
BLP038N10GL是上海贝岭推出的一款基于先进的双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5X6封装,降低了导通损耗,提升了开关性能,提高了雪崩能量,适用于同步整流和高速开关应用。
产品特点
快速开关
低导通电阻
低栅极电荷
低反向传输电容
高雪崩强度
RoHS产品
应用
同步整流
高速开关应用
绝对额定值参数(TC=25℃,除非特别说明):
注:
1. 重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制
2. L=0.5mH, Ias=40A, 起始TJ=25℃
电气参数(TC=25℃,除非特别说明)
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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