【产品】100V/80A的N沟道增强型功率MOSFET BLP038N10GL,采用先进的双沟槽技术,具有快速开关等特性

2023-05-20 上海贝岭
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BLP038N10GL上海贝岭推出的一款基于先进的双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5X6封装,降低了导通损耗,提升了开关性能,提高了雪崩能量,适用于同步整流和高速开关应用。


产品特点

快速开关

低导通电阻

低栅极电荷

低反向传输电容

高雪崩强度

RoHS产品

 

应用

同步整流

高速开关应用

 

绝对额定值参数(TC=25℃,除非特别说明): 

注:

1. 重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制

2. L=0.5mH, Ias=40A, 起始TJ=25℃ 


电气参数(TC=25℃,除非特别说明)     


订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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