【产品】100V/80A的N沟道增强型功率MOSFET BLP038N10GL，采用先进的双沟槽技术，具有快速开关等特性
BLP038N10GL是上海贝岭推出的一款基于先进的双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5X6封装，降低了导通损耗，提升了开关性能，提高了雪崩能量，适用于同步整流和高速开关应用。
产品特点
快速开关
低导通电阻
低栅极电荷
低反向传输电容
高雪崩强度
RoHS产品
应用
同步整流
高速开关应用
绝对额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
注：
1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2. L=0.5mH, Ias=40A, 起始TJ=25℃
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky翻译自上海贝岭，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RUH3051M，漏-源导通电阻典型值可低至4.2mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
【产品】30V/16A的N沟道增强型功率MOSFET SW055R03VLT，具有低导通电阻、低栅极电荷等特性
SW055R03VLT是芯派科技推出的一款基于先进的SAMWIN技术生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8封装，得益于该技术，器件具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
【产品】用于DC/DC同步整流的双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A，漏-源导通电阻典型值低至19.5mΩ
台舟电子推出了双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A。该产品采用了沟槽式功率技术，低导通电阻、低栅极电荷等特点。主要应用于DC/DC和AC/DC转换器的同步整流，以及电信和工业中的隔离式DC/DC转换器。
【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。
【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装
扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装，Trench低压功率MOSFET技术，可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作，稳态下结至外壳热阻典型值为3.9℃/W。
【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380，适用于高频开关电源
BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结技术，可降低导通损耗，提高开关性能。 该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
现货市场
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论