【应用】零反向恢复损耗的eGAN FET EPC2212用于车载激光雷达,耐压达到100V
激光雷达主要有测距和测速两大功能。相比于普通的雷达,激光雷达的性能更有优势,具体表现在分辨高,隐蔽性强,具有更强的抗干扰能力。正是因为它的这些特性,GAN晶体管作为激光雷达系统不可或缺的一部分,自然对参数性能的要求也很高,要求较高的分辨率(测距精度不能低于1cm)、更快的响应速度(响应时间达到ns级)、更短的开关延时(5ns左右)等。这里推荐EPC的eGAN FET EPC2212,耐压达到100V,电流峰值达到75A,控制电荷只有3.2nC,满足客户要求大于80V耐压,高于50A电流的要求。
eGAN FET EPC2212设计于车载激光雷达上的好处:
(1)EPC2212具有极低的QG(3.2nC)值,QG值越小,电容所需要充电的时间则越短,从而开关损耗就越小,因此可以显示高速开关,从而使得激光雷达的精度更高。
(2)EPC2212满足车规AEC-Q101标准,已有成功的案例应用在其他车载激光雷达设计上面。
(3)采用LGA小型封装,尺寸大小为2.1mm×1.6mm,可以在很大程度上减少PCB板的空间,有利于车载激光雷达产品小型化的设计。
(4)高瞬态电流75A,输入电压在70V左右,Id可以达到75A,可以产生巨大的能量脉冲,从而使得车载激光雷达测试的距离更远。
综上所述:具有超高效率,低控制极电荷,低漏源恢复电荷,零反向恢复损耗等特点的eGAN FET EPC2212适合应用于车载激光雷达产品上面。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由梅花香自苦寒来提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer
Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.
应用方案 发布时间 : 2022-08-26
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上。
应用方案 发布时间 : 2020-04-29
【应用】如何使用200V eGaN FET设计2.5kW高效FCML图腾柱无桥PFC整流器
本文介绍了一种适用于数据中心应用的高效,高功率密度,2.5kW的基于eGaN FET的飞跨电容4电平图腾柱无桥整流器。采用EPC旗下200V/8mΩ的EPC2215用于高频支路,其转换器在900W至2.5kW的效率超过99%,在1.4kW时的峰值为99.25%。
应用方案 发布时间 : 2020-11-27
EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
目录- eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9067,EPC2032,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC9066,EPC8010,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9179,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
【经验】eGaN FET EPC2016C开发板EPC9126的调试技巧分享
EPC9126是EPC公司推出的针对eGaN FET EPC2016C的demo板,在调试过程中经常会碰到各种问题,本文就调试步骤做一下总结。1、确认5V电源是否正确。2、确认信号发生器PWM信号是否正确,符合要求的应该是5V幅值,占空比为50%的输入信号。3、J8端信号确认,主要是确认开发板U3/U5芯片没有损坏。
设计经验 发布时间 : 2020-02-05
How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs
This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.
设计经验 发布时间 : 2021-11-01
eGaN FETs Are Low EMI Solutions!
GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.
新产品 发布时间 : 2020-08-15
【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南
一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例,分别从LGA和BGA封装来完成介绍。
设计经验 发布时间 : 2020-09-23
电子商城
登录 | 立即注册
提交评论