【产品】最大额定漏极电流达7A的功率MOSFET FIR7NS65AFG，具有增强型的雪崩特性
FIR7NS65AFG是福斯特半导体推出的一款采用DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低传导损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。此外，该系列器件还支持通用应用特性，例如，可用于硬交换拓扑和软交换拓扑应用、照明及适配器等应用。器件封装及产品图示如下：
器件特征
7A,650V,RDS(on)(典型值)=0.55Ω@VGS=10V
器件采用创新的革命性高压技术
器件具有超低栅极电荷特性
增强型的雪崩特性
具有超乎寻常的dv/dt额定值特性
器件具有高峰值电流能力特性
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)
热阻值
漏-源二极管额定值和电气参数
Note：
1.L=79mH,IAS=2.4A,VDD=100V,RG=25Ω,TJ=25℃起始；
2.VDS=0~400V,ISD≤7.0A,TJ=25℃;
3.VDS=0~480V;
4.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
5.几乎与工作温度无关。
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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