【产品】最大额定漏极电流达7A的功率MOSFET FIR7NS65AFG，具有增强型的雪崩特性

时间： 2023-03-25 来源：福斯特半导体

FIR7NS65AFG是福斯特半导体推出的一款采用DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低传导损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。此外，该系列器件还支持通用应用特性，例如，可用于硬交换拓扑和软交换拓扑应用、照明及适配器等应用。器件封装及产品图示如下：

器件特征

7A,650V,R_{DS(on)(典型值)}=0.55Ω@V_GS=10V
器件采用创新的革命性高压技术
器件具有超低栅极电荷特性
增强型的雪崩特性
具有超乎寻常的dv/dt额定值特性
器件具有高峰值电流能力特性

绝对最大额定值(T_C=25℃，除非另有说明)

热阻值

漏-源二极管额定值和电气参数

Note：

1.L=79mH,I_AS=2.4A,V_DD=100V,R_G=25Ω,T_J=25℃起始；

2.V_DS=0~400V,I_SD≤7.0A,T_J=25℃;

3.V_DS=0~480V;

4.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

5.几乎与工作温度无关。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由飞猫警长翻译自福斯特半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】采用VDMOS芯片技术的功率MOSFET 7N65D，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低等特点

MDD推出的MDD7N65D这款功率MOSFET，采用VDMOS芯片技术，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低、卓越的开关特性和电容特性，可满足应用中各种频率、能效要求、EMI要求，广泛应用于中小功率开关电源电路中的PFC电路、开关电路、同步整流电路中。

2022-10-21 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】漏源电压为650V的N沟道功率MOSFET RU18N65P，其单脉冲雪崩能量为500mJ

锐骏半导体推出的RU18N65P是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET，具有低反向传输电容和超低栅极电荷等特性，其可用于电源转换开关等多种应用。该产品的漏源电压为650V，栅源电压为±30V，单脉冲雪崩能量为500mJ。

2022-03-25 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】瑶芯微推出的超结功率MOSFET AKS65N1M4KM，漏源电压最大额定值高达650V

瑶芯微推出型号为AKS65N1M4KM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI（电磁干扰）特性，主要应用于高频开关应用，快速充电器和适配器等应用领域。

2023-03-26 - 产品代理服务技术支持批量订货

亚成微电子（Reactor Microelectronics）功率MOSFET选型指南

目录- 公司简介功率MOSFET

型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN

2021/5/25 - 亚成微电子 - 选型指南 - 版本号：V1.1 代理服务技术支持批量订货

F10N60 10A，600V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的F10N60型号的功率MOSFET。这是一种高压功率MOSFET，具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性。适用于高速切换应用的电源供应器和适配器。

型号- F10N60

2021.07 - 晶导微电子 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

CSQM15N06L 60V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了CSQM15N06L型60V N-Channel功率MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用，如阀门控制、电磁阀控制和照明。

型号- CSQM15N06L,CSQM15N06L-D

2024/2/26 - 国科赛思 - 数据手册 - Ver1.1 代理服务技术支持批量订货

時科携中高压功率MOSFET系列等产品亮相慕尼黑上海电子展，展示在储能、快充、智能家居、光伏、照明等领域的方案应用

2023年7月11-13日，全球工程师的优质战略合作伙伴時科携最新产品精彩亮相2023年慕尼黑上海电子展，全面、系统地展示在储能、快充、智能家居、光伏、照明等领域的方案应用，并聚焦汽车、工业、物联网、消费电子等重点行业。

2023-07-18 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

JMH65R290AF 650V超结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了JMH65R290AF型650V SuperJunction Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有极低的栅极电荷、优异的输出电容特性、快速开关能力，并通过了100% UIS和100% Rg测试。它适用于电信/服务器电源供应、工业电源、UPS/太阳能、照明/充电器/适配器等领域。

型号- JMH65R290AF-U,JMH65R290AF

2024/3/8 - 捷捷微电 - 数据手册 - Rev 1.1 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

JMH65R430AE 650V超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了JMH65R430AE型650V SuperJunction Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有极低的栅极电荷、优异的输出电容特性、快速开关能力，适用于电信、服务器电源、工业电源、UPS、太阳能、照明、充电器和适配器等领域。

型号- JMH65R430AE-13,JMH65R430AE

2022/6/5 - 捷捷微电 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持批量订货

【应用】N沟道增强型功率MOSFET HM2N10C用于电源适配器，漏源击穿电压高达100V

虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2N10C漏源击穿电压高，工作结温高，通流能力强，封装尺寸小，可以提高电源适配器的可靠性，以及工作稳定性，降低电源适配器的成本，提高产品竞争力。

2023-05-14 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

F4N65 4A，650V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的F4N65型号的高压功率MOSFET。该器件具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性，适用于高速切换应用的电源供应器和适配器。

型号- F4N65

2021.04 - 晶导微电子 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

JMH65R360AK 650V超结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了JMH65R360AK型650V SuperJunction Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有极低的栅极电荷、优异的输出电容特性和快速开关能力，适用于电信、服务器电源、工业电源、UPS太阳能、照明充电器和适配器等领域。

型号- JMH65R360AK-13,JMH65R360AK

2023/1/31 - 捷捷微电 - 数据手册 - Rev. 1.1 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

【产品】800V/5.0A N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP，适用于高电压、快速开关应用

CDM2205-800FP是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值为2.2Ω，最大值为2.7Ω，典型值Qg（tot）为17.4nC。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP采用TO-220FP封装，专为高电压，快速开关应用而设计，如功率因数校正(PFC)，照明和电源逆变器。

2018-06-17 - 新产品代理服务技术支持批量订货