【产品】30V/16A N沟道先进功率MOSFET RU30D16H，漏源导通电阻最大为32mΩ

时间： 2022-05-09 来源：锐骏半导体

技术问答

锐骏半导体推出一款N沟道先进功率MOSFET—RU30D16H，采用SOP-8封装，漏源电压为30V，T_A=25℃时连续漏极电流为16A（V_GS=10V）。

产品外观和示意图

特点：

30V/16A

R_DS(ON)=20mΩ(典型值)（V_GS=10V）

R_DS(ON)=25mΩ(典型值)（V_GS=4.5V）

低导通电阻

超高密度单元设计

坚固可靠

无铅和器件绿色环保（符合RoHS）

应用：

开关应用系统

电源管理

最大额定参数：

电气特性(T_A=25℃，除非特别说明)：

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