【产品】30V/16A N沟道先进功率MOSFET RU30D16H，漏源导通电阻最大为32mΩ

时间： 2022-05-09 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出一款N沟道先进功率MOSFET—RU30D16H，采用SOP-8封装，漏源电压为30V，T_A=25℃时连续漏极电流为16A（V_GS=10V）。

产品外观和示意图

特点：

30V/16A

R_DS(ON)=20mΩ(典型值)（V_GS=10V）

R_DS(ON)=25mΩ(典型值)（V_GS=4.5V）

低导通电阻

超高密度单元设计

坚固可靠

无铅和器件绿色环保（符合RoHS）

应用：

开关应用系统

电源管理

最大额定参数：

电气特性(T_A=25℃，除非特别说明)：

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
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