【选型】SiC MOSFET比Si MOSFET的性价比不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。WOLFSPEED的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说,SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于Si),更宽的能带隙(3倍于Si),热导率高(3倍于Si),这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。
SiC MOSFET性能明显优于Si MOSFET
1.极其低的导通电阻RDS(ON),导致了极其优越的正向压降和导通损耗,更能适应高温环境下工作。
2.SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的输入特性,即相当低的栅极电荷,导致性能卓越的切换速率。
3. 宽禁带宽度材料,具有相当低的漏电流,更能适应高电压的环境应用。
SiC MOSFET与Si MOSFET在设备中应用对比
现代工业对电力电子设备提出了许多新的要求,要求体积小、功率大、发热量小、设备轻便等。面对这些新要求,Si MOSFET一筹莫展,而SiC MOSFET 就开始大显身手了。通过对SiC MOSFET管与Si MOSFET管相关电气参数进行比较,我们可以肯定SiC MOSFET将成为高压高频场合中应用的主流器件,可谓应用SiC MOSFET者得天下。
图1:SiC MOSFET与Si MOSFET在设备中应用的对比图
低电阻特性,SiC具有低电阻特性,在同等电压和电流等级的MOSFET中,SiC MOSFET 的内阻要几倍小于Si MOSFET 的内阻,且SiC的模块体积小型化,有利于增加系统功率密度。
高速工作特性,SiC MOSFET相对于Si MOSFET具有更高频率的工作特性,使系统中的电容电感器件体积小型化,减小系统整体体积,同时也降低了生产加工成本。
高温工作特性,SiC MOSFET比Si MOSFET更适合应用于高温工作环境,原因在于一方面SiC MOSFET 自身损耗小,发热量小,自身温升相对较小,另一方面,热导率高3倍于Si MOSFET。
图2:SiC与 Si性价比对照图
有了以上特性对比结果,我们可以清楚的认识到SiC MOSFET 性能全面优于Si MOSFET。虽然单个SiC MOSFET价格高于Si MOSFET,
但是应用了SiC MOSFET 的系统设备整体价格低于应用Si MOSFET的设备,原因在于SiC MOSFET各项优秀性能使得设备中的电容容值减小、电感降低、散热片面积和体积减少以及设备整体体积和成本明显减小。
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碳化硅:第三代半导体材料的性能优势与应用前景
经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体,半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。
行业资讯 发布时间 : 2024-11-11
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描述- 三相PFC是一种高效率大功率无桥功率因数校正电路。它主要用于各种大功率电力电子设备中的第一级。图1-1所展示的是三相PFC主电路图。这个电路的Q1~Q6都是是高速SiC(碳化硅)MOSFET管。这一参考设计的额定功率为20KW。它使用本公司生产的1200V 50mΩ SiC MOSFET IV1Q12050T4, 以及专用碳化硅MOSFET驱动IC IVCR1401用于高速桥臂。
型号- IV1Q12050T4,IVCT-REF00004,TMDSCNCD280049C,IVCT-REF00008,F280049C,IVCT-REF00009,AD7606,IVCR1401,UCC28740,IVCT-REF00003
关于MOS管碳化硅的应用是否已全面成熟?
SiC MOSFET已有较多产品、也有很多成功应用。其高耐压、低损耗、高效率等特性,是相对于MOSFET的优势所在。然而,相对于以往的Si材质器件,SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求,仍是SiC功率器件能否全面普及的关键。世强代理WOLFSPEED(CREE POWER)的SiC MOSFET,Vincotech有集成SiC MOSFET和SiC二极管的功率模块,可在平台搜索“SiC MOSFET”或”SiC二极管“了解。
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实验室地址: 深圳 提交需求>
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试;9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试,天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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