【产品】时代速信GaN射频晶体管GHPS060060AT,2.6GHz时线性增益可达到21.5dB

2021-12-13 时代速信
GaN射频晶体管,GHPS060060AT,时代速信 GaN射频晶体管,GHPS060060AT,时代速信 GaN射频晶体管,GHPS060060AT,时代速信 GaN射频晶体管,GHPS060060AT,时代速信

时代速信推出的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管GHPS060060AT,其3dB压缩输出功率为60W(2.6GHz),该晶体管采用低热阻封装,典型工作电压为50V,工作频率为DC~6GHz,可工作在连续波和脉冲波输入。在2.6GHz时其线性增益可达到21.5dB,典型漏极效率(DE 3dB)可达到76.3%。可应用于基站、无线电中继、军用雷达、民用雷达等多种场合使用。

图1 产品图示

产品特点

频率范围:DC~6GHz

2.6GHz时的输出功率(P3dB):60W

2.6GHz时的线性增益:21.5 dB

2.6GHz时的典型DE(3dB):76.3%

工作电压:50 V

低热阻封装

可工作在连续波和脉冲波


应用

基站

无线电中继站

军用雷达

民用雷达

测试仪器

宽带或窄带放大器

干扰器

微波炉

图2 GHPS060060AT最大额定值及推荐工作条件


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 1

本文由芬里安翻译自时代速信,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(1

  • 志成 Lv7. 资深专家 2021-12-17
    学习
没有更多评论了

相关推荐

【产品】基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管GHPS060050AT,3dB压缩输出功率为50W(2.6GHz)

时代速信推出的GHPS060050AT是一款3dB压缩输出功率为50W(2.6GHz)的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管,采用低热阻封装,工作电压为50V,工作频率范围为DC~6GHz,可在连续波和脉冲波输入下工作。

2021-12-11 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】时代速信GaN射频晶体管GHPS060075AT,3dB压缩输出功率为75W(2.6GHz)

时代速信推出的GHPS060075AT是一款3dB压缩输出功率为75W(2.6GHz)的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管,可在连续波和脉冲波输入下工作,工作频率范围为DC~6GHz。在2.6GHz时线性增益可达到21.3dB,典型漏极效率(DE 3dB)可达到76.5%。

2021-12-16 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】GaN射频晶体管GHPS060020AT输出功率20W,工作频率DC-6GHz,具有CW和脉冲功能

时代速信GaN射频晶体管GHPS060020AT是一种20W (P3dB)、SiC高电子迁移率晶体管上的分立氮化镓,工作频率为DC-6GHz。低热阻封装,具有CW和脉冲功能。

2021-11-12 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

GLMA3P0015AD 15W,28V,30-3000MHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GLMA3P0015AD这款15W(P3dB)、28V的GaN射频晶体管。适用于30-3000MHz频段的大规模MIMO系统、室外小基站和远程无线头等应用。具有50Ω输入匹配、高功率增益和高效率等特点。

型号- GLMA3P0015AD-A1,GLMA3P0015AD

2022/11/14  - 时代速信  - 数据手册  - V1.1 代理服务 技术支持 采购服务

GLSD6P0060AT 60W,28V,DC-6GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GLSD6P0060AT是一款60W功率、28V工作电压的DC至6GHz频段的GaN射频晶体管。它是一种离散式的SiC衬底HEMT器件,具有低热阻封装,适用于连续波和脉冲操作。该产品在2300MHz频率下提供48.4dBm的输出功率(P3dB),线性增益为12.7dB。

型号- GLSD6P0060AT

2022/10/21  - 时代速信  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

GLSD6P0015BL 15W,28V,DC-6GHz,氮化镓RF非匹配晶体管

描述- 该资料介绍了GLSD6P0015BL是一款15W(P3dB)的28V GaN射频功率晶体管。适用于基站、雷达和远程无线电台在直流至6GHz频率范围内的应用。产品具有低热阻封装,支持连续波和脉冲操作。

型号- GLSD6P0015BL

2022/5/31  - 时代速信  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

GHPS060100AT 100W,50V,DC-6GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GHPS060100AT这款100W、50V、DC至6GHz的氮化镓(GaN)射频晶体管。它具有高频率范围、大功率输出和良好的线性增益,适用于基站、无线电中继站、军事雷达、民用雷达、测试仪器、宽带或窄带放大器等领域。

型号- GHPS060100AT

June 10, 2021  - 时代速信  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

GHSD6P0100AT 100W,50V,DC-6GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GHSD6P0100AT这款100W(P3dB)、50V的DC至6GHz GaN射频晶体管。它适用于基站、雷达和远程无线头等高频应用,具有高线性增益、低热阻封装等特点。

型号- GHSD6P0100AT

2021/11/24  - 时代速信  - 数据手册  - V1.1 代理服务 技术支持 采购服务

GLSA5P4040AT 40W,28V,4700-5400MHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GLSA5P4040AT型40W GaN射频晶体管。这是一种工作在4.7至5.4GHz频率范围内的离散GaN on SiC HEMT,具有高功率输出、线性增益和低热阻封装等特点。

型号- GLSA5P4040AT

2022/6/14  - 时代速信  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

GLMA1P5015AD 15W,28V,30-1500MHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GLMA1P5015AD这款15W、28V、30-1500MHz的GaN射频晶体管。它适用于大规模MIMO系统、室外小基站和远程无线头等应用,具有高功率增益、低热阻封装等特点。

型号- GLMA1P5015AD

2023/2/22  - 时代速信  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

GHSD3P0040AT 40W,50V,DC-3GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GHSD3P0040AT型40W、50V、DC至3GHz的氮化镓射频晶体管。该器件是一款离散式GaN on SiC HEMT,具有宽频带工作范围和高功率输出能力。资料提供了详细的电气规格、操作条件、热阻信息以及负载拉偏性能。

型号- GHSD3P0040AT

2022/4/11  - 时代速信  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

GLSD6P0015AL 15W,28V,DC-6GHz,氮化镓RF非匹配晶体管

描述- 该资料介绍了GLSD6P0015AL这款15W功率、28V电压、工作频率范围为DC至6GHz的GaN射频无匹配晶体管。适用于基站、雷达和远程无线电台等应用,具有低热阻封装和高线性增益等特点。

型号- GLSD6P0015AL

2022/5/31  - 时代速信  - 数据手册  - V1.1 代理服务 技术支持 采购服务

GHSD6P0008AT 10W,50V,DC-6GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GHSD6P0008AT这款10W功率、50V工作电压的氮化镓(GaN)射频晶体管。它可在直流至6GHz频率范围内工作,具有高线性增益和低热阻封装等特点。资料提供了详细的电气性能参数、推荐的工作条件、脉冲特性测试数据以及应用领域。

型号- GHSD6P0008AT

2021/11/18  - 时代速信  - 数据手册  - V1.1 代理服务 技术支持 采购服务

GLSA4P0060AT 60W,28V,DC-4GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GLSA4P0060AT这款60W、28V、DC-4GHz GaN射频晶体管。它是一款匹配的离散SiC HEMT,适用于基站、雷达和远程无线头等应用,频率范围为DC至4GHz。

型号- GLSA4P0060AT-A1,GLSA4P0060AT

2022/8/29  - 时代速信  - 数据手册  - V1.1 代理服务 技术支持 采购服务

GHPS060050AT 50W,50V,DC-6GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GHPS060050AT是一款50W(P3dB)的离散GaN on SiC HEMT射频晶体管,工作频率范围为直流至6 GHz。它具有高功率输出、线性增益和低热阻封装等特点。

型号- GHPS060050AT

时代速信  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:时代速信

品类:GaN RF Transistor

价格:

现货: 0

品牌:时代速信

品类:Low Noise Amplifier

价格:¥5.6000

现货: 484

品牌:时代速信

品类:Low Noise Amplifier

价格:¥4.2000

现货: 476

品牌:时代速信

品类:Power Amplifier

价格:¥56.0000

现货: 47

品牌:时代速信

品类:WLAN Front-End Module

价格:¥8.4000

现货: 28

品牌:时代速信

品类:Power Amplifier

价格:

现货: 0

品牌:时代速信

品类:GaN RF Transistor

价格:

现货: 0

品牌:时代速信

品类:GaN Transistor

价格:

现货: 0

品牌:时代速信

品类:Power Amplifier

价格:

现货: 0

品牌:时代速信

品类:GaN Transistor

价格:

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

暂无此商品

海量正品紧缺物料,超低价格,限量库存搜索料号

服务

查看更多

高频微波射频PCB打样定制

可定制PCB最高层数:32层;板材类型:罗杰斯高频板/泰康尼高频板/ZYF中英天线板/F4B高频板/高频电路板/高频混压板/高频纯压板等;最大加工尺寸:609*889mm。

最小起订量: 1 提交需求>

2G/3G/4G射频测试

支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试,覆盖所有上行和下行的各项射频指标,包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。

实验室地址: 深圳 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面