【产品】采用SOT-23(TO-236)封装、卷筒形式包装的通用PNP型晶体管,功耗仅为250mW

2019-07-04 Diotec
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DIOTEC推出的BC856BC857BC858BC859BC860通用PNP型晶体管采用SOT-23(TO-236)封装方式,卷筒形式包装。重仅0.01g,便于安装和携带。阻燃等级为UL 94V-0,焊接和组装条件为260℃/10s ,湿敏等级MSL为1。通过AES-Q101认证,符合ROHS、REACH标准,是环境友好型器件,主要应用于信号处理、开关、放大等应用领域。

 图1 产品尺寸图


该系列晶体二极管集电极电流(IC)为-100mA,电流峰值可达200mA, 可满足绝大多数大电流的设计需求。不同型号的二极管集电极-发射极电压范围在-30到-65V之间,可满足不同的电压设计要求。此外,其功耗很低,仅为250mW,可更好的满足用户设计时对功耗的要求。


该系列晶体二极管的结温范围为-55℃~150℃,存储温度范围均为-55℃~150℃,耐低温能力超强,具有高可靠性和高稳定性,为恶劣环境下工作提供了可靠保障。


另外,它们具有的高直流电流增益和低饱和电压。当-VCE=5V、IC=2mA时,直流电流增益(C组)典型值为520,最高可达800。最大基极-发射极饱和电压仅为700mV(当IC= 100mA、IB=5mA时)。结至环境热阻(RthA)小于420K/W,有较高的可靠性与稳定性。集电极-基极电容为4.5pF, 发射极-基极电容为9pF。


表1 参数表

1561970579(1).png


系列二极管的特征:

    一般用途

    3组电流增益

    符合RoHS,REACH标准


系列二极管典型应用:

   信号处理,开关,放大


订购信息:

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产品型号
品类
Type
Package
Collector Emitter Voltage VCEO[V]
DC Collector Current Ic[mA]
Polarity pol
Junction Temperature Tjmax [℃]
Power Dissipation Ptot[W]
DC Current Gain hfe
DC Current Gain VCE[V]
DC Current Gain IC[mA]
Collector Saturation Voltage VCEsat[mA]
Collector Saturation Voltage IC[mA]
Collector Saturation Voltage IB[mA]
Gain Bandwidth Product ft[MHz]
Gain Bandwidth Product IC[mA]
Gain Bandwidth Product VCE[V]
Gain Bandwidth Product f[MHz]
2N2222A
Bipolar Transistors
Wire-lead
TO-92
40
600
NPN
150
0.625
100
10
150
300
150
15
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