【产品】采用SOT-23（TO-236）封装、卷筒形式包装的通用PNP型晶体管，功耗仅为250mW
DIOTEC推出的BC856、BC857、BC858、BC859、BC860通用PNP型晶体管采用SOT-23（TO-236）封装方式，卷筒形式包装。重仅0.01g，便于安装和携带。阻燃等级为UL 94V-0，焊接和组装条件为260℃/10s ，湿敏等级MSL为1。通过AES-Q101认证，符合ROHS、REACH标准，是环境友好型器件，主要应用于信号处理、开关、放大等应用领域。
图1 产品尺寸图
该系列晶体二极管集电极电流（IC）为-100mA，电流峰值可达200mA, 可满足绝大多数大电流的设计需求。不同型号的二极管集电极-发射极电压范围在-30到-65V之间，可满足不同的电压设计要求。此外，其功耗很低，仅为250mW，可更好的满足用户设计时对功耗的要求。
该系列晶体二极管的结温范围为-55℃~150℃，存储温度范围均为-55℃~150℃，耐低温能力超强，具有高可靠性和高稳定性，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。
另外，它们具有的高直流电流增益和低饱和电压。当-VCE=5V、IC=2mA时，直流电流增益（C组）典型值为520，最高可达800。最大基极-发射极饱和电压仅为700mV（当IC= 100mA、IB=5mA时）。结至环境热阻（RthA）小于420K/W，有较高的可靠性与稳定性。集电极-基极电容为4.5pF, 发射极-基极电容为9pF。
表1 参数表
系列二极管的特征：
一般用途
3组电流增益
符合RoHS，REACH标准
系列二极管典型应用：
信号处理，开关，放大
订购信息：
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Collector Emitter Voltage VCEO[V]
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DC Collector Current Ic[mA]
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Polarity pol
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Junction Temperature Tjmax [℃]
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Power Dissipation Ptot[W]
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DC Current Gain hfe
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DC Current Gain VCE[V]
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DC Current Gain IC[mA]
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Collector Saturation Voltage VCEsat[mA]
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Collector Saturation Voltage IC[mA]
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Collector Saturation Voltage IB[mA]
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Gain Bandwidth Product ft[MHz]
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Gain Bandwidth Product IC[mA]
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Gain Bandwidth Product VCE[V]
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Gain Bandwidth Product f[MHz]
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2N2222A
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Bipolar Transistors
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Wire-lead
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TO-92
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40
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600
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NPN
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150
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0.625
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100
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10
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150
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300
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150
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15
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250
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20
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20
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100
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