【经验】耗尽型MOSFET与JFET的比较
耗尽型MOSFET与耗尽型JFET器件具备相同的Normally-On特性，是其可以在变送器的AD421供电与保护中替代JFET的基础。本文方舟微将对耗尽型MOSFET与JFET进行比较。同时将两种器件工作中的电性特性比较，MOSFET的优势在于：
首先，Si基JFET器件耐压一般在10~50V，更高耐压的JFET 器件只能用Sic基实现（目前不普及），限制了绝大多数JFET的应用，而Si基耗尽型MOSFET的耐压参数可以做到从10~1,700V任意值。对于常用的220V市电和380V工业用电，在Normally On应用中，耐压为600V和1,000V的这两个系列产品需求广泛，JFET器件无法满足，耗尽型MOSFET是唯一的选择。一般浪涌或瞬态干扰达到100V，此时JFET已被击穿，无法达到保护功能。
其次，由于JFET允许栅极泄漏电流为比MOSFET的栅极泄漏电流高出3个数量级，MOSFET极低的漏电流，大大降低了静态功耗，也就极大地降低整机功耗。同时，MOSFET 极低的漏电流，反应速度更快，对浪涌或瞬态干扰的保护更灵敏有效。
再次，JFET的输入阻抗远低于MOSFET输入阻抗，因为MOSFET金属氧化物绝缘体，使得其在栅极端的电阻更高。对于电压驱动的FET器件，输入阻抗越大，对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响， MOSFET比JFET更具备易于驱动、对栅极影响极小的优势。
MOSFET的缺点在于：由于其本身的输入阻抗高，对ESD静电极敏感，而栅 -源极间电容又很小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。所以，克服耗尽型MOSFET缺点，带防静电的ESD保护功能在耗尽型MOSFET的设计和生产中尤为重要，是器件能否正常使用的关键指标。
耗尽型MOSFET具备与JFET相同的电性特点，但各方面性能更优，是未来电路升级换代的首选器件。
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